[发明专利]静电放电器件电路布局

权利要求书

1.一种电路布局，适用于在静电放电时保护电路，该电路布局包含：

第一类型的第一重掺杂区，其在该第一类型的第一阱中，该第一重掺杂区包含有多个突出的顶端和多个凹陷的底端；以及

第二类型的第二重掺杂区，其在该第二类型的第二阱中，该第二阱具有一第二阱边缘，该第二重掺杂区包含有多个突出的顶端和多个凹陷的底端，其中该第一重掺杂区的顶端面对于该第二重掺杂区的顶端，该第一重掺杂区的底端面对于该第二重掺杂区的底端，该第一重掺杂区的底端和该第二阱边缘之间的距离等于该第二重掺杂区的底端和该第二阱边缘之间的距离，该第一重掺杂区的顶端和该第二阱边缘之间的距离等于该第二重掺杂区的顶端和该第二阱边缘之间的距离，该第一重掺杂区的底端和该第二阱边缘之间的距离大于该第一重掺杂区的顶端和该第二阱边缘之间的距离。

2.如权利要求1所述的电路布局，其中该第一类型是P型以及该第二类型是N型。

3.如权利要求1所述的电路布局，其中该第一类型是N型以及该第二类型是P型。

4.一种形成电路布局的方法，该电路布局适用于在静电放电时保护电路，该方法包含：

将第一类型的第一重掺杂区形成在该第一类型的第一阱中，其中该第一重掺杂区包含有多个突出的顶端和多个凹陷的底端；以及

将第二类型的第二重掺杂区形成在该第二类型的第二阱中，其中该第二阱具有一第二阱边缘，该第二重掺杂区包含有多个突出的顶端和多个凹陷的底端，其中该第一重掺杂区的顶端面对于该第二重掺杂区的顶端，该第一重掺杂区的底端面对于该第二重掺杂区的底端，该第一重掺杂区的底端和该第二阱边缘之间的距离等于该第二重掺杂区的底端和该第二阱边缘之间的距离，该第一重掺杂区的顶端和该第二阱边缘之间的距离等于该第二重掺杂区的顶端和该第二阱边缘之间的距离，该第一重掺杂区的底端和该第二阱边缘之间的距离大于该第一重掺杂区的顶端和该第二阱边缘之间的距离。

5.如权利要求4所述的方法，其中该第一类型是P型以及该第二类型是N型。

6.如权利要求4所述的方法，其中该第一类型是N型以及该第二类型是P型。