[发明专利]半导体动态电源装置

权利要求书

1.一种电源管理电路，该电路包括：

至少一切换电路，耦接于一电源与一电力接受电路之间；以及

至少一电压推进电路，耦接于一控制电路与所述电力接受电路之间；

其中，所述控制电路用于开启或关闭所述切换电路，并且使能或禁能所述电压推进电路。

2.如权利要求1所述的电源管理电路，其中所述切换电路包括至少一P型金属氧化物半导体晶体管，所述P型金属氧化物半导体晶体管的一源极、一漏极、一栅极以及一基体分别耦接于所述电源、所述电力接受电路、所述控制电路以及所述电源。

3.如权利要求1所述的电源管理电路，其中所述切换电路包括至少一P型金属氧化物半导体晶体管，所述P型金属氧化物半导体晶体管以一源极、一漏极、一栅极以及一基体分别耦接于所述电源、所述电力接受电路、所述控制电路以及所述电力接受电路。

4.如权利要求1所述的电源管理电路，其中所述电压推进电路包括至少一电容器，所述电容器的一第一端点与一第二端点分别耦接于所述电力接受电路与所述控制电路。

5.如权利要求4所述的电源管理电路，其中所述第二端点耦接于一晶体管的源极或所述控制电路的漏极。

6.如权利要求1所述的电源管理电路，其中所述电压推进电路是一电容器，该电容器的一第一端点与一第二端点分别耦接于所述电力接受电路与所述控制电路，并且其中所述电容器具有一电容值，所述电容值位于所述多个SRAM单元的一位线的电容值的10％至40％之间。

7.一种电源管理电路，该电路包括：

至少一切换电路，耦接于一电源与一电力接受电路之间；

至少一电容器，耦接于一控制电路与所述电力接受电路之间；

其中，所述控制电路用于开启或关闭所述切换电路，并且使所述电容器充电或放电。

8.如权利要求7所述的电源管理电路，其中所述切换电路包括至少一P型金属氧化物半导体晶体管，所述P型金属氧化物半导体晶体管的一源极、一漏极、一栅极以及一基体分别耦接于所述电源、所述电力接受电路、所述控制电路以及所述电源。

9.如权利要求7所述的电源管理电路，其中所述切换电路包括至少一P型金属氧化物半导体晶体管，所述P型金属氧化物半导体晶体管的一源极、一漏极、一栅极以及一基体分别耦接于所述电源、所述电力接受电路、所述控制电路以及所述电力接受电路。

10.如权利要求7所述的电源管理电路，其中所述电容器耦接于一晶体管的源极或所述控制电路的漏极。

11.如权利要求7所述的电源管理电路，其中所述电容器具有一电容值，所述电容值位于所述多个SRAM单元的一位线的电容值的10％至40％之间。

12.一种电源管理电路，其包括至少一P型金属氧化物半导体晶体管，所述P型金属氧化物半导体晶体管的一源极、一漏极、一栅极以及一基体分别耦接于所述电源、所述电力接受电路、所述控制电路以及所述电力接受电路，其中所述控制电路用于经由切换所述P型金属氧化物半导体晶体管以开启或关闭所述电源至所述电力接受电路。

13.如权利要求12所述的电源管理电路，还包括至少一电容器，所述电容器的一第一端点与一第二端点分别耦接于所述电力接受电路与所述控制电路。

14.如权利要求12所述的电源管理电路，还包括至少一电容器，所述电容器的一第一端点与一第二端点分别耦接于所述电力接受电路与所述控制电路，其中所述电容器具有一电容值，所述电容值位于所述多个SRAM单元的一位线的电容值的10％至40％之间。