[发明专利]半导体器件和有源矩阵型显示装置有效
| 申请号： | 200710106375.6 | 申请日： | 2007-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101079431A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 井上和式;石贺展昭;长山显祐;河濑和雅 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L23/532;H01L29/786;H01L29/43;G02F1/1343;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 有源 矩阵 显示装置 | ||
1.一种半导体器件，在绝缘基板上至少具备半导体层、与上述半导体层电连接的Al合金膜、以及与上述Al合金膜直接接触的透明导电膜，其中，
上述Al合金膜含有合计0.5～10mol％的从Fe、Co、Ni中选出的一种以上的元素，剩余部分由Al构成，
上述Al合金膜含有合计5～15mol％的从N、C、Si中选出的一种以上的元素。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在上述Al合金膜与上述透明导电膜的界面区域中，存在构成上述透明导电膜的导电性金属氧化物，并且上述Al合金膜或上述透明导电膜中所含的金属元素的至少一种以未被氧化的状态存在。
3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，上述透明导电膜由In2O3或SnO2构成。
4.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，上述透明导电膜由In2O3和SnO2的混合物ITO构成。
5.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，上述透明导电膜由In2O3和ZnO的混合物IZO构成。
6.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，上述透明导电膜由In2O3、SnO2、和ZnO的混合物ITZO构成。
7.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，利用溅射法形成上述透明导电膜。
8.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，具备由上述透明导电膜构成的像素电极、源极端子焊盘和栅极端子焊盘。
9.一种有源矩阵型显示装置，其具备权利要求1或2所述的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
