[发明专利]半导体器件和有源矩阵型显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件(device)，特别是涉及有源矩阵(active-matrix)型显示装置中使用的半导体器件。

背景技术

近年来，在半导体器件中也显示图像的显示设备的领域中，以节省能源(energy)、节省空间(space)为特长的液晶显示装置、电致发光(EL：electroluminescence)显示装置等平板显示器(flat-paneldisplay)装置正在取代以往的CRT而迅速普及。在这些显示设备中，基板上设置了多个电极或布线和元件，具体地是，将具有扫描线或信号线、栅电极或源电极、漏电极的薄膜晶体管(TFT)等开关(switching)元件按照阵列(array)状设置，在各个显示像素电极上施加独立的影像信号，这种有源矩阵型TFT阵列基板的应用正在变得越来越广泛。

在专利文献1中公开了一种在以液晶作为光电元件的液晶显示设备中使用的有源矩阵型TFT阵列基板。在这种有源矩阵型TFT阵列基板中，用于形成电极或布线的一种以上的金属膜和像素电极或影像信号的输入输出端子部中设置了由ITO、IZO等构成的透明电极层。一般在多个位置设有连接部，其将这些金属膜和透明电极层电连接起来。

另外，为了防止伴随着液晶显示设备的大型化、高精细化(显示像素数的增大)而出现的扫描线或信号线的加长或变窄所导致的信号延迟，电极、布线的材料要求是类似于Al的电阻抗低的材料。但是，如果在金属膜中使用了Al，就无法与由ITO或IZO等构成的透明电极层获得良好的电接触(contact)特性。为此，通常使用专利文献2和3中公开的方法，即，在金属膜和透明电极层的连接部形成Ti、Cr、Mo等高熔点金属膜，经由该高熔点金属膜获得Al与透明电极层之间的良好的电接触特性。

[专利文献1]特开平10-268353号公报

[专利文献2]特开平3-129326号公报

[专利文献3]特开2000-77666号公报

但是，如专利文献2、3那样层叠形成Al和高熔点金属的情况下，其存在的问题是需要有形成高熔点金属膜的工序。另外，取决于高熔点金属膜的种类，在用于构图(patterning)的蚀刻(etching)工序中，层叠布线图案(pattern)的端部有时会因蚀刻液中的腐蚀电位差而形成倒圆锥(taper)形或房檐形，会出现形成在上层的膜的覆盖不良的问题。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而做成的，目的是提供一种能够不经由高熔点金属膜地使由以Al为主要成分的金属膜形成的电极或布线与透明电极层直接接触的半导体器件。

本发明的半导体器件是在绝缘基板上至少具备半导体层、与上述半导体层电连接的Al合金膜、以及与上述Al合金膜直接接触的透明电极层的半导体器件，其中，上述Al合金膜含有合计0.5～10mol％的从Fe、Co、Ni中选出的一种以上的元素，剩余部分实质上由Al构成。

借助于本发明，能够提供可以不经由高熔点金属膜地使由以Al为主要成分的金属膜形成的电极或布线和透明电极层直接接触的半导体器件。

附图说明

图1是表示本实施方式1的TFT有源矩阵基板的平面图。

图2是表示本实施方式1的TFT有源矩阵基板的剖视图。

图3是表示对本实施方式1的ITO/Al-Ni合金层叠膜进行X射线光电子能谱分析所得的深度方向特性(profile)的图。

图4是表示本实施方式1的ITO/Al-Ni合金层叠膜的界面的X射线光电子能谱的图。

图5是示意性地表示本实施方式1的ITO/Al-Ni合金层叠膜的界面结构的图。

图6是表示本实施方式2的TFT有源矩阵基板的平面图。

图7是表示本实施方式2的TFT有源矩阵基板的剖视图。

图8是表示对本实施方式2的Al-Ni合金/ITO层叠膜进行X射线光电子能谱分析所得的深度方向特性的图。

图9是表示本实施方式2的Al-Ni合金/ITO层叠膜的界面的X射线光电子频谱的图。

图10是示意性地表示本实施方式2的Al-Ni合金/ITO层叠膜的界面结构的图。

具体实施方式