[发明专利]电子元件与CMOS图像传感器的芯片级封装及制造方法

权利要求书

1.一种电子元件的芯片级封装，包括：

一基板结构，其做为该芯片级封装的承载结构，且包括一第一切割断面及一第二切割断面；

一半导体晶粒，其具有黏着于该基板结构上的一晶粒电路；

一封胶层，位于该基板结构上，将该半导体晶粒封住；

一电连接，其自该芯片电路延伸至该芯片级封装在该封胶层上的多个接触终端，且该电连接的部分表面裸露于该第一切割断面；以及

一绝缘结构，设置于该第一切割断面上以保护该裸露出的电连接部分，且该绝缘结构与该第二切割断面共平面。

2.如权利要求1所述的电子元件的芯片级封装，其特征在于，该基板结构为包括镜片级玻璃或石英在内的透明基板结构。

3.如权利要求1所述的电子元件的芯片级封装，其特征在于，该半导体晶粒包括一互补式金属氧化物半导体图像感测装置。

4.如权利要求1所述的电子元件的芯片级封装，其特征在于，该电连接包括连接该晶粒接触的一水平部分以及连接该芯片级封装的所述多个接触终端的一倾斜部分。

5.如权利要求1所述的电子元件的芯片级封装，其特征在于，该绝缘结构包括环氧树脂、聚亚酰胺、树脂、氧化硅、金属氧化物或氮化硅。

6.如权利要求1所述的电子元件的芯片级封装，还包括一位于该第一切割断面与该第二切割断面之间的高度差。

7.一种CMOS图像传感器的芯片级封装的制造方法，包括：

提供一透明基板结构，该透明基板结构上镶有两邻近的CMOS图像传感器，一封胶层位于该基板结构上，将该CMOS图像传感器晶粒封住，其中一电连接自该芯片电路延伸至该芯片级封装于该封胶层上的多个接触终端；

切割该透明基板结构至一预定深度以形成一沟槽，并将两CMOS图像传感器对应的该电连接断离并露出该电连接的表面；

将一绝缘结构填入该沟槽中，以保护该露出的电连接表面；以及

切割该透明基板结构以分离两对应的CMOS图像传感器。

8.如权利要求7所述的CMOS图像传感器的芯片级封装的制造方法，其特征在于，该预定深度的范围为100-150微米。

9.如权利要求7所述的CMOS图像传感器的芯片级封装的制造方法，其特征在于，该切割所述透明基板结构至一预定深度的步骤包括以具有一第一宽度的晶粒切割锯切割。

10.如权利要求9所述的CMOS图像传感器的芯片级封装的制造方法，其特征在于，该第一宽度的范围为100-150微米。

11.如权利要求7所述的CMOS图像传感器的芯片级封装的制造方法，其特征在于，该填入一绝缘结构于该沟槽中的步骤包括溅镀法、印刷法、涂布法或旋转涂布法。

12.如权利要求7所述的CMOS图像传感器的芯片级封装的制造方法，其特征在于，切割该透明基板结构以分离两对应的CMOS图像传感器的步骤包括以具有一第二宽度的晶粒切割锯切割。

13.如权利要求12所述的CMOS图像传感器的芯片级封装的制造方法，其特征在于，该第二宽度的范围小于100微米。