[发明专利]一种中低温赝两元热电合金及制备工艺无效
| 申请号： | 200710106667.X | 申请日： | 2007-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101082114A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 崔教林;修伟杰;毛立鼎 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | C22C45/00 | 分类号： | C22C45/00;C22C1/04;B22F3/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315016*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 两元 热电 合金 制备 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种由Cu4Te3和Bi0.5Sb1.5Te3两种化合物组成的中低温赝两元热电合金，其特征是采用放电等离子烧结(SPS)制备，该赝两元热电合金是通过摩尔分数为0.025的Cu4Te3替换等摩尔分数的Bi0.5Sb1.5Te3，构成赝两元合金，其化学式为(Cu4Te3)0.025-(Bi0.5Sb1.5Te3)0.975。
2.一种赝两元热电合金制备工艺，制备分两步进行，其特征是按权利要求1所述的赝两元热电合金先配比Cu4Te3和Bi0.5Sb1.5Te3两种化合物，分别真空熔炼合成，前者合成温度为1000～1100℃，后者为700～800℃，合成时间各为10小时，然后根据化学式(Cu4Te3)0.025-(Bi0.5Sb1.5Te3)0.975配比赝两元合金，再经真空熔炼合成，赝两元合金的合成温度为1000～1100℃，合成时间10小时，再粉碎、球磨，球磨后的粉末经放电等离子烧结(SPS)成形，烧结温度为350～450℃，烧结压力40～60MPa，保温时间8～12分钟。
3.根据权利要求2所述的一种赝两元热电合金制备工艺，其特征是采用放电等离子烧结(SPS)制成块体，最佳合成温度为1050℃，最佳烧结温度为400℃，烧结压力50MPa，在烧结温度下保温时间10分钟。
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