[发明专利]于低介电系数介电层上形成孔洞的方法有效
| 申请号： | 200710106933.9 | 申请日： | 2007-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101150065A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 蔡嘉祥;谢志宏;徐祖望;陈德芳;林家慧;章勋明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低介电 系数 介电层上 形成 孔洞 方法 | ||
1.一种于低介电系数介电层上形成孔洞的方法，其特征在于包含：
形成一多晶硅硬罩幕于该低介电系数介电层之上；
形成一光阻层于该多晶硅硬罩幕之上；
图刻该光阻层；
蚀刻该多晶硅硬罩幕层以产生该低介电系数介电层的多数个暴露部分，其中是利用一气体电浆蚀刻该多晶硅硬罩幕层；
移除该光阻层；以及
蚀刻该低介电系数介电层的该些暴露部分。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多晶硅硬罩幕层具有小于600埃()的厚度。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中于蚀刻该多晶硅硬罩幕的步骤中，更包含暴露该多晶硅硬罩幕于一气体电浆之中。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述气体电浆包含氯。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中于蚀刻该低介电系数介电层的该些暴露部分的步骤中，更包含暴露该些暴露部分于一气体电浆之中。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述气体电浆包含氟(F)。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低介电系数介电层的介电常数约在1.2及3之间。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低介电系数介电层更包含黑钻石、旋转涂布玻璃及碳掺杂氧化硅至少其中之一。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多晶硅硬罩幕更包含锗。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中于形成该多晶硅硬罩幕于该低介电系数介电层之上的步骤中，更包含形成具有锗于其中的一多晶硅层。
11.一种于低介电系数介电层上形成孔洞以解决蚀刻室内的金属污染的方法，其中该金属污染是于使用一硬罩幕蚀刻一低介电系数介电层时产生，其特征在于，该方法包含：
蚀刻该硬罩幕于该蚀刻室中以产生该低介电系数介电层的多数个暴露部分，其中是利用一气体电浆蚀刻该硬罩幕；
移除一光阻层；以及
蚀刻该低介电系数介电层的该些暴露区域，
其中该硬罩幕为一多晶硅材料。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，其中于蚀刻该硬罩幕的步骤中，更包含暴露该硬罩幕于一气体电浆之中。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述气体电浆包含氯。
14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述低介电系数介电层的介电常数在1.2及3之间。
15.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述硬罩幕更包含锗。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
