[发明专利]复合式研磨垫及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710107156.X 申请日: 2007-04-30
公开(公告)号: CN101298132A 公开(公告)日: 2008-11-05
发明(设计)人: 冯崇智;姚伊蓬;王良光;洪永璋 申请(专利权)人: 三芳化学工业股份有限公司
主分类号: B24D13/14 分类号: B24D13/14;B24D18/00;B24B29/00;H01L21/304
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 刘国伟;林建成
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 复合 研磨 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种研磨垫及其制造方法,明确地说,涉及一种复合式研磨垫及其制造 方法。

背景技术

一般抛光是以化学机械研磨(CMP)的工艺,对于一粗糙表面的研磨,其是利用含 有研磨粒子的研磨液平均分布于一研磨垫的表面上,同时将一待抛光元件抵住所述研磨 垫后,进行一重复且有规律的搓磨动作。所述待抛光元件为例如半导体、存储媒体缓冲 层、集成电路、LCD平板玻璃、光学玻璃和光电面板等物体。

常规单层独立式发泡研磨层,在工艺上所产生的发泡孔,因浆料浓度和成型温度易 使发泡孔的孔洞分布和大小较不易均匀,因而造成研磨垫质量不稳定。另一常规独立非 发泡树脂所形成的研磨层,其研磨表面无微细孔洞,无法保持研磨浆液在研磨垫与被抛 光物之间,而降低研磨的功效。

图6显示一种常规复合式研磨垫,其采用高分子弹性体直接涂覆于缓冲层,经凝固 后使二者结合成一复合式研磨垫。所述常规缓冲层会因为不织布的均匀性不佳以及棉付 量差异,造成涂覆于缓冲层上的所述高分子弹性体呈现平坦不一的现象(即所述高分子 弹性体薄膜和所述缓冲层的界面不平坦),使得抛光效果不佳,甚至损伤被抛光物。

另一种常规复合式研磨垫,其以高分子弹性体直接涂覆于缓冲层,经凝固后以剖片 方式取得高分子弹性体薄膜,再利用一双面胶与另一缓冲层结合,而以剖片方式取得的 所述高分子弹性体薄膜,会因设备和棉付量差异,造成所取得高分子弹性体薄膜会呈现 平坦不一的现象。

参看图7,其显示所述常规缓冲层具有不平坦的表面。参看图8,其显示贴附的所述 双面胶具有不平坦的表面。参看图9,其显示利用所述双面胶结合后的所述高分子弹性 体薄膜与所述缓冲层具有不平坦的接着面。由图7至图9可以清楚地看出,所述常规制造 方法所制得的复合式研磨垫的表面和所述高分子弹性体薄膜与所述缓冲层的接着面,均 为不平坦的表面。

因此,常规复合式研磨垫制造方法所制得的复合式研磨垫,其表面的均匀度不佳, 所以研磨效果较差。并且,常规技术中利用一双面胶结合所述高分子弹性体薄膜和所述 缓冲层,再加上所述高分子弹性体薄膜和所述缓冲层均具有不平整的表面,所以所述高 分子弹性体薄膜和所述缓冲层间的结合强度较为薄弱。

因此,有必要提供一种创新且具有进步性的复合式研磨垫及其制造方法,以解决上 述问题。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种复合式研磨垫。所述复合式研磨垫包括一缓冲层和 一抛光层。所述缓冲层为连续多孔性材料,其具有一平整化表面,所述平整化表面的不 均匀度百分比低于6.0%。所述抛光层为连续多孔性材料,复合于所述平整化表面上,以 形成一复合式研磨垫,其中所述抛光层用以抛光一待抛光元件。

本发明的另一目的在于提供一种复合式研磨垫的制造方法。所述制造方法包括:(a) 提供一缓冲层,所述缓冲层为连续多孔性材料,其具有一表面;(b)平整化所述表面, 使所述表面形成一平整化表面;和(c)将一抛光层复合于所述平整化表面上,以形成 一复合式研磨垫,其中所述抛光层为连续多孔性材料,用以抛光一待抛光元件,其中所 述抛光层复合于所述平整化表面包括以下步骤:(c1)提供一载体;(c2)将一高分子 组成物涂覆于所述载体上;(c3)固化所述高分子组成物,以形成所述抛光层;(c4) 分离所述载体与所述抛光层;和(c5)将所述抛光层贴附于所述平整化表面上。在另外 的实施例中,其中所述抛光层复合于所述平整化表面包括以下步骤:(c1)将一高分子 组成物涂覆于所述平整化表面上;和(c2)固化所述高分子组成物,以形成所述抛光层。

通过本发明的制造方法,可产生一表面极为平整的缓冲层,使得复合于所述平整化 表面上的所述抛光层同样具有非常平坦的表面,因此,本发明的所述复合式研磨垫在抛 光过程中,施加于一被抛光元件表面的应力较为平均,可使所述被抛光元件在研磨后具 有较平坦的表面,且不会刮伤或破坏所述被抛光元件,所以本发明的所述复合式研磨垫 具有优选的抛光效果。另外,所述复合式研磨垫具有优选的均匀度,所以所述缓冲层与 所述抛光层具有优选的结合强度。

附图说明

图1A显示本发明非织物的示意图;

图1B显示本发明所述非织物浸入一高分子溶液中的示意图;

图1C显示本发明初始缓冲层的示意图;

图1D显示本发明将所述初始缓冲层剖片以形成一缓冲层的示意图;

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