[发明专利]振荡电路

权利要求书

1.一种振荡电路，其特征在于，具有：

温度依赖电流源，基于与环境温度相应而流过晶体管的电流，输出控制电压；

第1和第2逻辑门，在2个输入信号都是第1电平时输出第2电平的输出信号，在该输入信号的至少1个是第2电平时，使该输出信号为第1电平而输出，该第1逻辑门的输出侧与该第2逻辑门的第1输入侧连接，该第2逻辑门的输出侧与该第1逻辑门的第1输入侧连接；

第1延迟电路，在上述第2逻辑门的输出信号从第2电平变化为第1电平时，与上述控制电压相应开始电容器的充电或放电动作，在该电容器的电压达到了依赖于环境温度的阈值电压时，向上述第1逻辑门的第2输入侧提供第2电平的脉冲；和

第2延迟电路，在上述第1逻辑门的输出信号从第2电平变化为第1电平时，与上述控制电压相应开始电容器的充电或放电动作，在该电容器的电压达到了依赖于环境温度的阈值电压时，向上述第2逻辑门的第2输入侧提供第2电平的脉冲。

2.根据权利要求1所述的振荡电路，其特征在于，设有向上述第1和第2逻辑门以及上述第1和第2延迟电路提供恒定电源电压的恒压源。

3.根据权利要求1或2所述的振荡电路，其特征在于，上述第1电平是高电平，上述第2电平是低电平，上述第1和第2逻辑门是与非门。

4.根据权利要求3所述的振荡电路，其特征在于，

上述第1延迟电路具有：

第1P沟道MOS晶体管，被连接在电源电压与第1节点之间，由上述第2逻辑门的输出信号控制导通/截止；

第1N沟道MOS晶体管，被连接在上述第1节点与第2节点之间，由上述控制电压控制导通状态；

第2N沟道MOS晶体管，被连接在上述第2节点与接地电压之间，由上述第2逻辑门的输出信号控制导通/截止；

电容器，被连接在上述第1节点与接地电压之间；

第3N沟道MOS晶体管，被连接在第3节点与接地电压之间，由上述第1节点的电压控制导通/截止；

负载元件，其被连接在上述第3节点与电源电压之间；和

倒相器，把上述第3节点的信号倒相，并提供给上述第1逻辑门的第2输入侧，

上述第2延迟电路具有：

第2P沟道MOS晶体管，被连接在电源电压与第4节点之间，由上述第1逻辑门的输出信号控制导通/截止；

第4N沟道MOS晶体管，被连接在上述第4节点与第5节点之间，由上述控制电压控制导通状态；

第5N沟道MOS晶体管，被连接在上述第5节点与接地电压之间，由上述第2逻辑门的输出信号控制导通/截止；

电容器，被连接在上述第4节点与接地电压之间；

第6N沟道MOS晶体管，被连接在第6节点与接地电压之间，由上述第4节点的电压控制导通/截止；

负载元件，被连接在上述第6节点与电源电压之间；和

倒相器，把上述第6节点的信号倒相，并提供给上述第2逻辑门的第2输入侧。

5.根据权利要求1或2所述的振荡电路，其特征在于，上述第1电平是低电平，上述第2电平是高电平，上述第1和第2逻辑门是或非门。

6.根据权利要求5所述的振荡电路，其特征在于，

上述第1延迟电路具有：

第1P沟道MOS晶体管，其被连接在电源电压与第1节点之间，由上述第2逻辑门的输出信号控制导通/截止；

第2P沟道MOS晶体管，被连接在上述第1节点与第2节点之间，由上述控制电压控制导通状态；

第1N沟道MOS晶体管，被连接在上述第2节点与接地电压之间，由上述第2逻辑门的输出信号控制导通/截止；

电容器，被连接在上述第2节点与接地电压之间；

第2N沟道MOS晶体管，被连接在第3节点与接地电压之间，由上述第2节点的电压控制导通/截止；

负载元件，被连接在上述第3节点与电源电压之间；和

倒相器，把上述第3节点的信号倒相，并提供给上述第1逻辑门的第2输入侧，

上述第2延迟电路具有：

第3P沟道MOS晶体管，被连接在电源电压与第4节点之间，由上述第1逻辑门的输出信号控制导通/截止；

第4P沟道MOS晶体管，被连接在上述第4节点与第5节点之间，由上述控制电压控制导通状态；

第3N沟道MOS晶体管，被连接在上述第5节点与接地电压之间，由上述第2逻辑门的输出信号控制导通/截止；

电容器，被连接在上述第5节点与接地电压之间；

第4N沟道MOS晶体管，被连接在第6节点与接地电压之间，由上述第5节点的电压控制导通/截止；

负载元件，被连接在上述第6节点与电源电压之间；和

倒相器，把上述第6节点的信号倒相，并提供给上述第2逻辑门的第2输入侧。