[发明专利]振荡电路

说明书

技术领域

本发明涉及由于电源电压和环境温度引起的振荡频率的变动较小的振荡电路

背景技术

[专利文献1]：日本特开2003-4547号公报

[专利文献2]：日本特表2005-533443号公报

在上述专利文献1中，记载了利用环形振荡器的振荡频率随环境温度而变化的特性，通过比较该环形振荡器的振荡频率与晶体振荡器的振荡频率，进行温度输出的温度检测电路。

另外，在上述专利文献2中，记载了构成为利用不受电源电压和环境温度的影响而提供恒定电流的恒流电路、和由该恒流电路驱动的环形振荡器，来输出恒定振荡频率的电流控制环形振荡器。

如专利文献1所记载的那样，公知环形振荡器的振荡频率较大地依赖于环境温度，在专利文献2中，通过使向环形振荡器提供的电流恒定，来实现其振荡频率的稳定化。但是，由于环形振荡器的振荡频率不仅较大地依赖于电源电压相关，而且还较大地依赖于环境温度，所以单纯地使供给电流稳定，难以实现完全的频率稳定。

发明内容

本发明的目的是提供一种由于电源电压和环境温度引起的振荡频率的变动较小的振荡电路。

本发明的振荡电路的特征在于，具有：温度依赖电流源，基于与环境温度相应而流过晶体管的电流，来输出控制电压；第1和第2逻辑门，其在2个输入信号都是第1电平时输出第2电平的输出信号，在该输入信号的至少1个是第2电平时，使该输出信号为第1电平而输出，该第1逻辑门的输出侧与该第2逻辑门的第1输入侧连接，该第2逻辑门的输出侧与该第1逻辑门的第1输入侧连接；第1延迟电路，其在上述第2逻辑门的输出信号从第2电平变化为第1电平时，与上述控制电压相应开始电容器的充电或放电动作，在该电容器的电压达到了依赖于环境温度的阈值电压时，向上述第1逻辑门的第2输入侧提供第2电平的脉冲；和第2延迟电路，其在上述第1逻辑门的输出信号从第2电平变化为第1电平时，与上述控制电压相应开始电容器的充电或放电动作，在该电容器的电压达到了依赖于环境温度的阈值电压时，向上述第2逻辑门的第2输入侧提供第2电平的脉冲。

本发明具有第1逻辑门的输出侧与第2逻辑门的第1输入侧连接，第2逻辑门的输出侧与第1逻辑门的第1输入侧连接的2个逻辑门、和使这些第1和第2逻辑门的输出信号按照依赖于环境温度的控制电压和阈值电压延迟并分别提供给第2及第1逻辑门的第2输入侧的第1和第2延迟电路。由此，延迟电路的温度依赖性由于控制电压的变化和阈值电压的变化而抵消，延迟时间的温度依赖性变小。因此，由这些逻辑门和延迟电路构成的振荡电路(无稳态多谐振荡器)具有能够抑制由于电源电压和环境温度引起的振荡频率的变动的效果。

附图说明

图1是表示本发明的实施例1的振荡电路的结构图。

图2是表示图1的动作的信号波形图。

图3是表示本发明的实施例2的振荡电路的结构图。

图4是表示图3的动作的信号波形图。

图中：10-恒压源；30、60-温度依赖电流源；40-逻辑积电路；41、46、71、72、76-PMOS；42、43、45、73、75-NMOS；44、74-电容器；47、77-倒相电路；48-NAND；70-逻辑和电路；78-NOR。

具体实施方式

关于本发明的上述内容以及其他目的和新颖的特征，通过参照附图阅读以下的优选实施例的说明，可得到更全面的理解。但附图只是用于解说，并不表示对本发明的范围的限定。

[实施例1]

图1是表示本发明的实施例1的振荡电路的结构图。

该振荡电路由恒压源10、温度依赖电流源30、构成无稳态多谐振荡器的2组逻辑积电路40A、40B、以及电平位移电路50构成。

恒压源10不受电源电压VCC和环境温度T变动的影响而生成恒定电压VDD。

该恒压源10构成为，具有连接在电源电压VCC与接地电压VSS之间的由P沟道MOS晶体管(以下称为“PMOS”)11和电阻12以及二极管13构成的串联电路。并且，在电源电压VCC与接地电压VSS之间连接有由PMOS14和二极管15构成的串联电路、和由PMOS16、电阻17以及二极管18构成的串联电路。PMOS11、14的漏极分别与运算放大器(OP)19的非倒相输入端子和倒相输入端子连接，从该运算放大器19的输出端子输出的电压VP被提供给PMOS11、14、16的栅极。并且连接成电压输出器的运算放大器20与PMOS16的漏极连接，从该运算放大器20输出恒定的电压VDD。