[发明专利]线路组件

权利要求书

1.一种线路组件，其特征在于：包括：

一半导体基底，所述的半导体基底具有至少一金属接垫；

一保护层，位于所述的半导体基底上，所述的保护层具有至少一开口暴露出所述的金属接垫；

一聚合物凸块，位于所述的保护层上；以及

一金属层，位于所述的保护层、所述的聚合物凸块与所述的金属接垫上，所述的金属层包覆所述的聚合物凸块的至少二表面，经由位于所述的聚合物凸块上的所述的金属层连接至一外界电路。

2.根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于：所述的半导体基底包括一细线路结构，所述的细线路结构包括：

数个厚度介于0.05微米至2微米之间的介电层，位于所述的半导体基底上，且所述的介电层具有多数个通道孔；以及

数个厚度介于0.05微米至2微米之间的细线路层，位于所述的介电层其中之一上，且所述的细线路层凭借所述的通道孔彼此电连接。

3.根据权利要求2所述的线路组件，其特征在于：所述的细线路层包括厚度介于0.05微米至2微米之间的一铜层或一铝层。

4.根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于：所述的保护层的材质包括一氮硅化合物与一氧硅化合物其中之一或其组合。

5.根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于：所述的金属层的材质包括金。

6.根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于：所述的金属层的材质包括铜、银、铂、镍与钯其中之一或其组合。

7.根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于：更包括一第一黏着/阻障层位于所述的金属层与所述的金属接垫之间。

8.根据权利要求7所述的线路组件，其特征在于：所述的第一黏着/阻障层包括厚度介于0.02微米至0.8微米之间的一钛钨合金层。

9.根据权利要求7所述的线路组件，其特征在于：更包括一种子层位于所述的第一黏着/阻障层与所述的金属层之间。

10.根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于：所述的聚合物凸块包括聚酰亚胺化合物。

11.根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于：所述的聚合物凸块厚度介于5微米至50微米之间。

12.根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于：所述的聚合物凸块最大横向尺寸介于10微米至60微米之间。

13.一种线路组件，其特征在于：包括：

一半导体基底，所述的半导体基底具有至少一第一金属接垫与一第二金属接垫；

一保护层，位于所述的半导体基底上，所述的保护层具有至少二开口暴露出所述的第一金属接垫与所述的第二金属接垫；

一聚合物凸块，位于所述的保护层上；

一第一金属层，位于所述的保护层、所述的聚合物凸块与所述的第一金属接垫上，所述的第一金属层包覆所述的聚合物凸块的至少二表面，所述的第一金属层包括一接合接垫位于所述的聚合物凸块上；

一第二金属层，位于所述的保护层上并连接至所述的第二金属接垫，所述的第二金属层包括一打线接垫；以及

一打线导线，位于所述的打线接垫上并连接至一第一外界电路。

14.根据权利要求13所述的线路组件，其特征在于：所述的半导体基底包括一细线路结构，所述的细线路结构包括：

数个厚度介于0.05微米至2微米之间的介电层，位于所述的半导体基底上，且所述的介电层具有多数个通道孔；以及

数个厚度介于0.05微米至2微米之间的细线路层，位于所述的介电层其中之一上，且所述的细线路层凭借所述的通道孔彼此电连接。

15.根据权利要求14所述的线路组件，其特征在于：所述的细线路层包括厚度介于0.05微米至2微米之间的一铝层或一铜层。

16.根据权利要求13所述的线路组件，其特征在于：所述的保护层的材质包括一氮硅化合物与一氧硅化合物其中之一或其组合。

17.根据权利要求13所述的线路组件，其特征在于：所述的第一金属层的材质包括金。

18.根据权利要求13所述的线路组件，其特征在于：所述的第一金属层的材质包括铜、银、铂、钯与镍其中之一或其组合。