[发明专利]具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构无效

专利信息
申请号: 200710107620.5 申请日: 2007-05-22
公开(公告)号: CN101312171A 公开(公告)日: 2008-11-26
发明(设计)人: 施合成;王俊元;郑怡芳;王琼琳;锺孙雯 申请(专利权)人: 晶宏半导体股份有限公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 具有 接合 开窗 上指化凸块 晶片 结构
【权利要求书】:

1、一种具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构,其特征在于其包含:

一晶片主体,其具有一主动面、复数个接垫及一表面保护层,该些接垫是设置于该主动面,其中该表面保护层在每一接垫上具有复数个开孔,每一接垫上所有开孔的总合面积是小于对应接垫的面积,以局部显露该些接垫;以及

复数个指状凸块,其是突起状设置于该晶片主体上,每一指状凸块具有一凸块体与一延伸部,该些凸块体的底部覆盖区域是位于对应接垫内且大于该些开孔,该些延伸部的底部覆盖区域是超出该些接垫之外。

2、根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构,其特征在于其中所述的晶片主体具有至少一邻近于该些接垫的迹线,其是被该表面保护层覆盖,该些延伸部的底部覆盖区域是跨过该迹线。

3、根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构,其特征在于其中所述的该些开孔是为长条槽孔。

4、根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构,其特征在于其中所述的每一开孔的面积是不大于1000μm2

5、根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构,其特征在于其中所述的每一接垫上所有开孔是为并排平行排列。

6、根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构,其特征在于其中所述的每一接垫上所有开孔是为直线排列。

7、根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构,其特征在于其中所述的每一接垫上所有开孔是为矩阵排列。

8、根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构,其特征在于其中所述的表面保护层的厚度是不大于2μm。

9、根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构,其特征在于其中所述的该些凸块体与该些延伸部具有一致等高的顶面,其最高点与凹陷区之间的高度差容许误差值在3μm以内。

10、根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构,其特征在于其中所述的该些指状凸块的高度是介于10μm至20μm。

11、根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构,其特征在于其中所述的该些延伸部的长度是不大于150μm。

12、根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构,其特征在于其中所述的晶片主体是具有一边缘,该些指状凸块是邻近于该边缘,而该些延伸部是相对于该些凸块体较为远离该边缘。

13、根据权利要求12所述的具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构,其特征在于其中所述的该些延伸部的延伸方向是与该边缘互为垂直向。

14、根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构,其特征在于其中所述的该些凸块体与该些延伸部是为等宽。

15、根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构,其特征在于其另包含有一凸块下金属层,其位于该些指状凸块与该表面保护层之间并连接至该些接垫,其中该凸块下金属层的尺寸是实质相等于该些凸块体的底部覆盖区域与该些延伸部的底部覆盖区域。

16、根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构,其特征在于其中所述的该些接垫是为铝垫,而该些指状凸块是为金凸块。

17、根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构,其特征在于其中所述的该些指状凸块的材质是选自金、铜、铝与其合金的其中之一。

18、根据权利要求1所述具有接合在多开窗上指化凸块的晶片结构,其特征在于其另包含有复数个凸块,其是突起状设置于该晶片主体上且不具有超过对应接垫的延伸部。

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