[发明专利]基底处理设备

权利要求书

1.一种基底处理设备，包括：

真空室，具有用于产生等离子体的反应空间，目标基底位于该真空室中；

低频天线单元，位于反应空间外，用于在反应空间中产生等离子体；

低频电源供应件，将低频电源施加给低频天线单元；

高频天线单元，位于反应空间外，用于在反应空间中产生等离子体；

高频电源供应件，将高频电源施加给高频天线单元。

2.如权利要求1所述的设备，其中，低频天线单元位于反应空间之上的真空室顶表面的外周，高频天线单元位于反应空间之上的真空室顶表面的中部区域。

3.如权利要求1所述的设备，其中，低频天线单元包括铁氧体芯和天线线圈，该铁氧体芯包括布置在反应空间外的多个磁极和使所述多个磁极相互连接的连接部分，所述天线线圈围绕所述多个磁极缠绕。

4.如权利要求3所述的设备，其中，每个磁极的天线线圈沿着与相邻的磁极的天线线圈的缠绕方向相反的方向缠绕。

5.如权利要求3所述的设备，其中，连接部分呈环形。

6.如权利要求3所述的设备，其中，通过连接部分相互连接的所述多个磁极彼此等间隔地排列。

7.如权利要求6所述的设备，其中，通过连接部分相互连接的磁极的数目是偶数。

8.如权利要求1所述的设备，其中，低频天线单元包括环形铁氧体芯和天线线圈，环形铁氧体芯位于反应空间外并具有螺旋形插入凹槽，所述天线线圈插入到所述插入凹槽中。

9.如权利要求8所述的设备，其中，螺旋形插入凹槽从环形铁氧体芯的外周至内周沿着圆周方向形成。

10.如权利要求1所述的设备，其中，高频天线单元包括串联连接的多个天线线圈组，每组天线线圈组包括并联连接的多个天线线圈。

11.如权利要求10所述的设备，其中，所述多个天线线圈组同轴地设置。

12.如权利要求1所述的设备，其中，高频天线单元包括按照螺旋形缠绕的单个天线线圈。

13.如权利要求1所述的设备，其中，将100kHz至2MHz的低频电源施加给低频天线单元，将13.56MHz或者更高频率的高频电源施加给高频天线单元。

14.一种基底处理设备，包括：

室，限定用于产生等离子体的反应空间，目标基底位于该室中；

低频天线单元，围绕室的外表面的外周布置；

高频天线单元，位于室的外表面的中部。

15.如权利要求14所述的基底处理设备，还包括：

低频电源供应件，将低频电源施加给低频天线单元；

高频电源供应件，将高频电源施加给高频天线单元。

16.如权利要求14所述的基底处理设备，其中，布置低频天线单元的表面是室的顶表面并在反应空间之上，布置高频天线单元的表面是所述顶表面，并且高频天线单元在低频天线单元的中部内。

17.如权利要求14所述的基底处理设备，其中，低频天线单元包括铁氧体芯和天线线圈，该铁氧体芯包括多个磁极和使所述多个磁极相互连接的连接部分，所述天线线圈围绕所述多个磁极缠绕。

18.如权利要求14所述的基底处理设备，其中，低频天线单元包括环形铁氧体芯和天线线圈，该环形铁氧体芯具有螺旋形插入凹槽，所述天线线圈插入到所述插入凹槽中。

19.如权利要求17所述的基底处理设备，其中，铁氧体芯呈环形。

20.一种基底处理设备，包括：

室，限定用于产生等离子体的反应空间；

第一天线单元，设置在室的外表面的第一位置；

第二天线单元，设置在室的外表面的第二位置。

21.如权利要求20所述的基底处理设备，其中，第一天线单元是低频天线单元，第二天线单元是高频天线单元。

22.如权利要求21所述的基底处理设备，其中，第一天线单元设置在室的外表面的外周上，第二天线单元设置在第一天线单元的中部区域内，位于室的外表面的中部。