[发明专利]基底处理设备

说明书

技术领域

本发明总体构思涉及一种基底处理设备，更具体地讲，涉及一种使用铁氧体芯以提高等离子体产生效率的基底处理设备。

背景技术

通过在基底上重复执行各种基底处理工艺，例如沉积和蚀刻薄膜来制造用于各种显示装置的半导体片或者基底(以下称为“基底”)。

图1是示出传统的基底处理设备的剖视图，图2是示出传统的基底处理设备的俯视图。

传统的基底处理设备100包括彼此结合的上容器111和下容器112。由两个结合的容器111和112限定空间，并且该空间分别被分隔件121和122分成上反应空间113和下反应空间114。反应气体在被注入到上反应空间113和下反应空间114中之后，在上反应空间113和下反应空间114中被离子化以产生等离子体。上反应空间113和下反应空间114分别设置有上卡盘131和下卡盘132。作为处理目标的基底通常仅位于下卡盘132上。传统的基底处理设备100还包括沿着圆周等间隔地设置在上反应空间113和下反应空间114之间的中间位置处的同一平面上的六个螺旋管形(six toroidal)铁氧体芯141。螺旋管形铁氧体芯141中的每个具有围绕其缠绕的线圈142，使得围绕一个铁氧体芯141的线圈142沿着与其相邻的螺旋管形铁氧体芯141的线圈142的缠绕方向相反的方向缠绕，以使相邻的螺旋管形铁氧体芯141产生具有相反相位(phase)的感应电动势。

上反应空间113和下反应空间114通过穿过每个螺旋管形铁氧体芯141的中心的管151中形成的孔152互相连通。反应气体穿过孔152，每个孔152成为放电电流的路径。当处理基底时，围绕螺旋管形铁氧体芯141的每个缠绕的线圈142充当第一侧，等离子体充当第二侧，使得施加给线圈142的高频电源被传递到第二侧的等离子体。由相邻的螺旋管形铁氧体芯141产生的感应电动势相互之间具有180度的相位差，由等离子体感应的电流路径通过相邻的孔152构成闭合的路径。图2的箭头指示相邻的孔152之间感应的六个电流。

为了提高等离子体产生效率，由等离子体感应的第二侧电流的路径必须形成为闭合电路。为此，传统的基底处理设备100具有上反应空间113和下反应空间114。然而，在传统的基底处理设备100中，仅在基底的一侧执行基底处理，而在两侧都产生等离子体，从而使等离子体密度和等离子体产生效率降低。

发明内容

本发明总体构思提供一种可提高等离子体产生效率的基底处理设备。

本发明总体构思还提供这样一种基底处理设备，该设备在提高等离子体产生效率的同时，能够稳定地点燃反应气体。

在下面的描述中将部分地阐明本发明总体构思另外的方面和优点，通过描述，一部分会变得更加清楚，或者通过实施本发明总体构思可以了解。

通过提供一种基底处理设备可实现本发明总体构思的上述和/或其它方面和用途，该基底处理设备包括：真空室，具有用于产生等离子体的反应空间，目标基底位于该真空室中；低频天线单元，位于反应空间外，用于在反应空间中产生等离子体；低频电源供应件，将低频电源施加给低频天线单元；高频天线单元，位于反应空间外，用于在反应空间中产生等离子体；高频电源供应件，将高频电源施加给高频天线单元。

低频天线单元可位于反应空间之上的真空室顶表面的外周，高频天线单元可位于反应空间之上的真空室顶表面的中部区域。

低频天线单元可包括铁氧体芯和天线线圈，该铁氧体芯包括布置在反应空间外的多个磁极和使所述多个磁极相互连接的连接部分，所述天线线圈围绕所述多个磁极缠绕。

每个磁极的天线线圈可沿着与相邻的磁极的天线线圈的缠绕方向相反的方向缠绕。

连接部分可呈环形。

通过连接部分相互连接的所述多个磁极可彼此等间隔地排列。

通过连接部分相互连接的磁极的数目可以是偶数。

低频天线单元可包括环形铁氧体芯和天线线圈，该环形铁氧体芯位于反应空间外并具有螺旋形插入凹槽，所述天线线圈插入到所述插入凹槽中。

螺旋形插入凹槽可从环形铁氧体芯的外周至内周沿着圆周方向形成。

高频天线单元可包括串联连接的多个天线线圈组，每组天线线圈组包括并联连接的多个天线线圈。

所述多个天线线圈组可同轴地设置。

高频天线单元可包括按照螺旋形缠绕的单个天线线圈。

可将100kHz至2MHz的低频电源施加给低频天线单元，可将13.56MHz或者更高频率的高频电源施加给高频天线单元。