[发明专利]薄膜图案层的制造方法无效
申请号: | 200710107989.6 | 申请日: | 2007-05-22 |
公开(公告)号: | CN101312115A | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
发明(设计)人: | 周景瑜;王宇宁;黄继震;廖义铭 | 申请(专利权)人: | ICF科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/71;H01L21/768;H01L21/02;H01L51/56;H01L51/00;G02B5/23;H05B33/10;H05K3/12 |
代理公司: | 北京申翔知识产权代理有限公司 | 代理人: | 周春发 |
地址: | 美国加州95054圣*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 图案 制造 方法 | ||
1.一种薄膜图案层的制造方法,其包括以下步骤:
提供一个基板,所述基板具有多个挡墙,所述多个挡墙与所述基板限定有多个收容空间,每一个收容空间具有相互平行的第一侧边及第二侧边,第一侧边与第二侧边的距离为b,该多个收容空间形成沿着平行于第一侧边及第二侧边的方向排布的多个行,及沿着垂直于第一侧边方向排布的多个列,每相邻两行收容空间的第一侧边之间的间隔为d;
提供第一喷嘴与第二喷嘴,该第一、第二喷嘴的中心连线相对该第一侧边倾斜设置,且该第一、第二喷嘴之间的间距在垂直于第一侧边的方向上的投影等于d;
该第一喷嘴沿着第一路线移动并对该收容空间喷入墨水,该第一路线位于一个待处理的收容空间的第一侧边与第二侧边之间,与该第一侧边平行,且距离为a;
该第二喷嘴沿着第二路线移动并对该收容空间喷入墨水,该第二路线与该第一路线平行且方向相反,该第二路线与该第一路线的距离c符合以下两个关系式之一:0<c<b-a,及0<c<a;
干燥固化收容空间的墨水而形成薄膜图案层。
2.如权利要求1所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,该墨水至少包括一种溶剂,该溶剂的沸点高于170℃。
3.如权利要求2所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,该溶剂的沸点高于185℃。
4.如权利要求1所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,所述基板材料选自玻璃、硅晶圆、金属或塑料。
5.如权利要求1所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,该干燥固化步骤采用以下装置中的至少一种:一种抽真空装置、一种加热装置及一种曝光装置。
6.如权利要求5所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,该曝光装置包括紫外光曝光照射装置。
7.如权利要求1所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,所述第一 喷嘴及第二喷嘴均位于同一喷墨头。
8.如权利要求7所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,该喷墨头系热泡式或压电式。
9.如权利要求1所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,所述第一喷嘴及第二喷嘴分别位于第一喷墨头及第二喷墨头。
10.如权利要求9所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,所述第一、第二喷墨头为同一型号之喷墨头。
11.如权利要求9所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,所述第一、第二喷墨头为不同型号之喷墨头。
12.如权利要求9所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,所述第一、第二喷墨头均设置于同一机台上。
13.如权利要求9所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,所述第一、第二喷墨头分别设置于不同之机台上。
14.一种薄膜图案层的制造方法,其包括以下步骤:
提供一个基板,所述基板具有多个挡墙,所述多个挡墙与所述基板限定有多个收容空间,每一个收容空间具有相互平行的第一侧边及第二侧边,第一侧边与第二侧边的距离为b,该多个收容空间形成沿着平行于第一侧边及第二侧边的方向排布的多个行,及沿着垂直于第一侧边方向排布的多个列,每相邻两行收容空间的第一侧边之间的间隔为d;
提供一个喷墨头,该喷墨头相对于该第一侧边倾斜设置,该喷墨头具有多个喷嘴,每相邻两个喷嘴之间的间距在垂直于第一侧边的方向上的投影等于d,任选一个喷嘴,该喷嘴沿着第一路线移动并对该收容空间喷入墨水,该第一路线位于一个待处理的收容空间的第一侧边与第二侧边之间,与该第一侧边平行,且距离为a;
该喷嘴沿着第二路线移动并对该收容空间喷入墨水,该第二路线与该第一路线平行且方向相反,该第二路线与该第一路线的距离c符合以下两个关系式之一:0<c<b-a,及0<c<a;
干燥固化收容空间的墨水而形成薄膜图案层。
15.如权利要求14所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,该墨水至少包括一种溶剂,该溶剂的沸点高于170℃。
16.如权利要求15所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,该溶剂的沸点高于185℃。
17.如权利要求14所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,所述基板材料选自玻璃、硅晶圆、金属或塑料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造