[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200710108218.9 | 申请日： | 2007-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101082750A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 石谷哲二;久保田大介;西毅 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1335;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，包括：
一对的第一衬底及第二衬底；
形成在所述第一衬底和所述第二衬底之间的液晶层；
形成在所述第一衬底和所述液晶层之间的颜色滤光片，所述颜色滤光片包括遮光层和多个着色层；
配置成缓和所述第一衬底和所述颜色滤光片之间的折射率差异的光干涉层；
形成在所述颜色滤光片和所述液晶层之间的具有双色性的第一偏振元件；
位于所述第二衬底上方和所述液晶层下方的薄膜晶体管；
位于所述薄膜晶体管上方和所述液晶层下方的第一绝缘膜；
位于所述第一绝缘膜之上和所述液晶层下方的共同电极；
位于所述共同电极上方和所述液晶层下方的第二绝缘膜；
位于所述第二绝缘膜之上和所述液晶层下方的像素电极，所述像素电极电连接至所述薄膜晶体管；
形成在所述第二衬底的外侧一面的具有双色性的第二偏振元件；以及
配置在所述第二衬底下方的背光灯，所述第二偏振元件夹在它们之间。
2．一种半导体装置，包括：
一对的第一衬底和第二衬底；
形成在所述第一衬底和所述第二衬底之间的液晶层；
形成在所述第一衬底和所述液晶层之间的颜色滤光片，所述颜色滤光片包括遮光层和多个着色层；
配置成缓和所述第一衬底和所述颜色滤光片之间的折射率差异的光干涉层；
形成在所述颜色滤光片和所述液晶层之间的具有双色性的第一偏振元件；
形成在所述颜色滤光片和所述具有双色性的第一偏振元件之间的覆盖涂敷层；
位于所述第二衬底上方和所述液晶层下方的薄膜晶体管；
位于所述薄膜晶体管上方和所述液晶层下方的第一绝缘膜；
位于所述第一绝缘膜之上和所述液晶层下方的共同电极；
位于所述共同电极上方和所述液晶层下方的第二绝缘膜；
位于所述第二绝缘膜之上和所述液晶层下方的像素电极，所述像素电极电连接至所述薄膜晶体管；
形成在所述第二衬底的外侧一面的具有双色性的第二偏振元件；以及
配置在所述第二衬底下方的背光灯，所述第二偏振元件夹在它们之间。
3．根据权利要求1或2所述的半导体装置，还包括形成在所述具有双色性的第一偏振元件和所述液晶层之间的定向膜。
4．一种半导体装置，包括：
一对的第一衬底和第二衬底；
形成在所述第一衬底和所述第二衬底之间的液晶层；
形成在所述第一衬底和所述液晶层之间的颜色滤光片，所述颜色滤光片包括遮光层和多个着色层；
防止由于所述多个着色层和所述遮光层所引起光反射的光干涉层，所述光干涉层形成在所述第一衬底和所述颜色滤光片之间；
形成在所述颜色滤光片和所述液晶层之间的具有双色性的第一偏振元件；
形成在所述第二衬底上方和所述液晶层下方的像素电极、共同电极、以及薄膜晶体管；
形成在所述第二衬底的外侧一面的具有双色性的第二偏振元件；以及
配置在所述第二衬底下方的背光灯，所述第二偏振元件夹在它们之间，
其中所述像素电极的电极形状为梳齿形状或曲折的形状。
5．一种半导体装置，包括：
一对的第一衬底和第二衬底；
形成在所述第一衬底和所述第二衬底之间的液晶层；
形成在所述第一衬底和所述液晶层之间的颜色滤光片，所述颜色滤光片包括遮光层和多个着色层；
防止由于所述多个着色层和所述遮光层所引起的光反射的光干涉层，所述光干涉层形成在所述第一衬底和所述颜色滤光片之间；
形成在所述颜色滤光片和所述液晶层之间的具有双色性的第一偏振元件；
形成在所述颜色滤光片和所述具有双色性的第一偏振元件之间的覆盖涂敷层；
形成在所述第二衬底上方和所述液晶层下方的像素电极、共同电极、以及薄膜晶体管；
形成在所述第二衬底的外侧一面的具有双色性的第二偏振元件；以及
配置在所述第二衬底下方的背光灯，所述第二偏振元件夹在它们之间，
其中所述像素电极的电极形状为梳齿形状或曲折的形状。
6．根据权利要求1、2、4和5的任意一项所述的半导体装置，还包括形成在所述像素电极和所述液晶层之间的第一定向膜。
7．根据权利要求1、2、4和5的任意一项所述的半导体装置，还包括形成在所述具有双色性的第二偏振元件和所述液晶层之间的第二定向膜。
8．根据权利要求1、2、4和5的任意一项所述的半导体装置，其中所述遮光层形成在互不相同的所述多个着色层之间。
9．根据权利要求1、2、4和5的任意一项所述的半导体装置，还包括形成在所述第二衬底和所述液晶层之间的支柱状隔离物。
10．根据权利要求1、2、4和5的任意一项所述的半导体装置，其中所述光干涉层减少在所述遮光层和所述第一衬底之间的界面上以及在所述多个着色层和所述第一衬底之间的界面上的外光的反射。
11．根据权利要求1、2、4和5的任意一项所述的半导体装置，其中所述光干涉层包括选自氧化物、氮化物、以及氟化物中的至少一种材料。
12．根据权利要求1、2、4和5的任意一项所述的半导体装置，其中所述光干涉层包括选自MgF2、SiO2、CeF3、Al2O3、SiNx、ITO、ZrO2、以及TiO2的至少一种材料。
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