[发明专利]在硅基板中形成隔离结构的方法有效
| 申请号： | 200710108298.8 | 申请日： | 2007-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN101090089A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 吴家伟;谢荣裕;杨令武 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅基板中 形成 隔离 结构 方法 | ||
1、一种制造硅基板上半导体元件的隔离结构的方法，包括：
形成沟渠于所述硅基板中；
利用衬垫氧化层来衬垫所述沟渠；
利用氮化硅层来进一步衬垫所述沟渠；
利用绝缘层来填充所述沟渠；
利用临场蒸汽产生工艺来生成牺牲氧化层于所述硅基板靠近所述沟渠处，其中所述临场蒸汽产生工艺所生成的牺牲氧化层转换一部分的所述氮化硅层变为氧化硅，且同时将所述衬垫氧化层的上角落进行圆化。
2、如权利要求1所述的方法，其中所述临场蒸汽产生工艺利用OH为主要氧化来源。
3、如权利要求1所述的方法，其中所述临场蒸汽产生工艺是在高于900℃的温度下进行的。
4、如权利要求1所述的方法，其中所述临场蒸汽产生工艺是在1050℃的温度下进行的。
5、如权利要求1所述的方法，还包括下列步骤：
形成另一衬垫氧化层于所述硅基板之上；
形成垫幕罩层于所述另一衬垫氧化层之上；
蚀刻所述垫幕罩层、所述另一衬垫氧化层与所述硅基板以形成所述沟渠。
6、如权利要求5所述的方法，还包括利用所述垫幕罩层为研磨停止层来研磨所述绝缘层，以及加热所述硅基板以使所述绝缘层密致化。
7、如权利要求5所述的方法，还包括在所述利用绝缘层来填充所述沟渠的步骤和所述将所述衬垫氧化层的上角落进行圆化的步骤之间，自所述沟渠邻近的区域除去所述垫幕罩层与所述另一衬垫氧化层。
8、如权利要求7所述的方法，还包括通过湿蚀刻衬垫氧化层和均向性蚀刻绝缘层的组合，使沟渠上角落的绝缘层产生凹陷空洞。
9、如权利要求1所述的方法，其中所述氮化硅层的厚度介于10到100埃之间。
10、如权利要求1所述的方法，其中所述氮化硅层是四氮化三硅(Si3N4)。
11、如权利要求5所述的方法，其中所述垫幕罩层是氮化硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
