[发明专利]反射式背光源检测方法及其结构无效
申请号: | 200710108438.1 | 申请日: | 2007-06-14 |
公开(公告)号: | CN101324536A | 公开(公告)日: | 2008-12-17 |
发明(设计)人: | 叶公旭;黄嘉兴 | 申请(专利权)人: | 东捷科技股份有限公司 |
主分类号: | G01N21/958 | 分类号: | G01N21/958;G01N21/956;H01L21/66 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反射 背光源 检测 方法 及其 结构 | ||
技术领域
本发明涉及透光待测物的检测技术,特别是指一种用于检测透光待测物的反射式背光源检测方法及其结构。
背景技术
等离子体、液晶与有机发光二极管(organic light emittingdisplay;OLED)显示器是透过多数主动像素元(active picturecells)进行发光,各该像素元是由三个可分别发出红光、绿光以及蓝光的次像素(sub-pixels)所组成。如果该像素元的其中一个次像素发生故障,该像素元就会发出错误的颜色,而无法正常显示,该主动像素元则称为缺陷点(dot defect;mura defect)。
所谓缺陷点,是指显示器上无法控制的像素元。缺陷点可分为两种:亮点与暗点;其中,亮点是指在任何画面下持续恒亮的点,切换到黑屏(black screen)时就可以发现;暗点则是在任何画面下持续恒暗的点,切换到白屏(white screen)时就可以发现。缺陷点的造成多为液晶面板于生产时,因制程控制不良等因素所造成,其原因包含有:微粒(particle)落在玻璃基板内、光阻剂蚀刻薄膜的残留杂质、薄膜晶体管电路上覆盖的杂质、玻璃基板因静电伤害而受到破坏等情形,都会造成缺陷点的形成。
为防止显示面板出现上述情形,必须依赖玻璃基板的检测作业,运用对透光待测物的检测技术对不良品进行筛选。在玻璃基板的检测作业中,现有检测作业是先使用一光源进行打光,以提供足够的光源,再使用一高分辨率的摄影机或者扫瞄器描绘光的输出状态;对玻璃基板进行缺陷点的检测,以确保显示面板的质量。
请参阅图3至图5,其为现有检测作业时的打光方式,大致可分为三种:亮场打光(light-field illumination)、暗场打光(dark-field illumination)以及同轴打光(coaxialillumination)。其中,亮场打光是利用物体表面镜射的方式来照明,使表面平滑的区域会因反射产生较亮的影像,表面粗糙的区域则因散射产生较暗的影像(如图3所示);暗场打光是利用物体表面散射的方式来照明,使表面平滑的区域会因反射产生较暗的影像,表面粗糙的区域则因散射产生较亮的影像(如图4所示);但,此二种打光方式,容易产生方向性阴影而造成误判,若不对影像再进行二值化处理,将致使误判的机率提高,具有检测效果不佳的缺点。同轴打光是将光源嵌设于摄影机内,或者透过分光镜自摄影机前进行打光,目的在于减少方向性阴影的形成,可以提供较均匀的照明效果(如图5所示);然而,此种方式容易于平滑表面产生强烈反射,且构件较多而不易于有限空间内进行安装,摄影机的工作距离容易受到限制,具有检测效果不佳以及装设不易的缺点。
为解决上述问题,有业者分别于光源与摄影机以加装偏振片(polaroid)的方式进行检测作业,以达到减少过度反射的影响;然而,此种方式所检索的影像相较于前述现有技术偏暗,容易造成误判,具有检测效果不佳的缺点。
综上所陈,现有的检测方法,具有上述的缺失而有待改进。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种反射式背光源检测方法,能够提供照明均匀的效果,并克服方向性阴影的问题,具有提高检测效果的优点。
于是,为了达成前述目的,依据本发明所提供的一种反射式背光源检测方法,包含下列各步骤:提供一透光待测物以及一反光板,该反光板是位于该透光待测物底侧;提供一环型光纤以及一光源,该环型光纤是可位移地位于该透光待测物顶侧,且未接触该透光待测物,该光源可对该环型光纤进行投射;当该光源投射于该环型光纤,会形成多条入射光,各该入射光会自该环型光纤穿经该透光待测物,再经由该反光板形成多条反射光;提供一检测镜头,是透过该反射光对该透光待测物进行检测,以检知该透光待测物的品质。
通过此,本发明透过上述方法,能够提供照明均匀的效果,以供进行检测作业,并克服方向性阴影的问题,降低瑕疵点误判的机率,其相较于现有者,具有提高检测效果的优点。
为了详细说明本发明的构造及特点所在,兹举以下较一佳实施例并配合图式说明如后,其中:
附图说明
图1是本发明一较佳实施例的动作流程图;
图2是本发明一较佳实施例的结构示意图;
图3是现有检测方法的结构示意图,其揭示以亮场方式打光的状态;
图4是现有检测方法的结构示意图,其揭示以暗场方式打光的状态;
图5是现有检测方法的结构示意图,其揭示以同轴方式打光的状态。
【主要组件符号说明】
透光待测物10 反光板20
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