[发明专利]处理基材的设备和方法有效
申请号: | 200710108455.5 | 申请日: | 2007-06-14 |
公开(公告)号: | CN100547725C | 公开(公告)日: | 2008-01-16 |
发明(设计)人: | 具教旭;赵重根;成保蓝璨 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/30;H01L21/67 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 梁兴龙;武玉琴 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 基材 设备 方法 | ||
1.一种基材处理设备,包括:
带有卡盘的基材支撑单元,基材装载在所述卡盘上;
底部室,所述底部室具有打开的顶部并用于围住所述卡盘的周边;
顶部室,所述顶部室用于打开或关闭所述底部室的顶部,使得在所述基材与外部隔离时对所述基材进行干燥处理,在所述顶部室的内部形成上部空间,所述上部空间具有环形的边缘部分和从所述边缘部分延伸的中心部分;以及
间接喷嘴,所述间接喷嘴安装在所述顶部室的边缘部分中并用于向所述中心部分喷射干燥流体,使得干燥流体间接地喷射到所述基材的中心,然后扩散到所述基材的边缘。
2.如权利要求1所述的基材处理设备,其中所述中心部分高于所述边缘部分。
3.如权利要求1所述的基材处理设备,其中在所述顶部室的内部、所述上部空间的下面形成下部空间,以及其中在所述下部空间与所述边缘部分之间设置凸壁,其中在所述中心部分与所述下部空间之间形成中心孔,从而所述中心部分中的干燥流体流向所述下部空间。
4.如权利要求3所述的基材处理设备,其中所述凸壁的上表面具有导向表面,所述导向表面朝着所述中心部分向上倾斜。
5.如权利要求3所述的基材处理设备,其中所述顶部室的下表面具有导向表面,所述导向表面朝着所述基材的边缘向下倾斜。
6.如权利要求1所述的基材处理设备,其中所述上部空间呈伞状。
7.如权利要求1所述的基材处理设备,其中所述顶部室与所述基材边缘间隔0.5-2cm,以防止从所述基材散射的干燥流体和水珠回弹撞击所述底部室的壁。
8.如权利要求1所述的基材处理设备,其中所述底部室包括多级排列的多个环形吸管,用于吸入在所述基材上散射的空气和化学品。
9.如权利要求8所述的基材处理设备,其中所述卡盘根据所述吸管的高度上升或下降。
10.如权利要求1所述的基材处理设备,其中所述卡盘包括用于支撑向上间隔的基材的支撑单元。
11.如权利要求10所述的基材处理设备,还包括:
背面喷嘴部件,所述背面喷嘴部件安装在所述卡盘上,用于向所述基材背面喷射清洁流体和干燥流体。
12.如权利要求1所述的基材处理设备,其中干燥流体包括有机溶剂或氮气。
13.一种使用如权利要求1所述的基材处理设备的基材处理方法,包括:
将基材装载到设置在底部室内部的卡盘上;
向装载的基材供应化学品以对所述基材进行化学处理;
当顶部室密封所述底部室的打开顶部时,利用间接喷嘴从所述顶部室的边缘向中心喷射干燥流体;
经在所述顶部室中心形成的中心孔排放在所述顶部室中心聚集的干燥流体;以及
当排放的干燥流体从所述基材中心向其边缘逐渐扩散时使化学处理的基材干燥。
14.如权利要求13所述的基材处理方法,其中在所述顶部室密封所述底部室之前,所述顶部室内部保持在干燥流体氛围中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造