[发明专利]处理基材的设备和方法

说明书

相关申请的交叉参考

本美国非临时专利申请根据35U.S.C§119要求2006年7月12日提交的韩国专利申请2006-65374的优先权，在此引入该韩国专利申请的全部内容作为参考。

技术领域

本发明涉及基材处理设备。更具体地说，本发明涉及基材处理设备和使用这种基材处理设备的基材处理方法，在该设备中，向基材的上表面供应化学品或气体以清洁和干燥基材。

背景技术

在制造半导体器件过程中，通过反复沉积、蚀刻绝缘层和金属材料，涂布光致抗蚀剂并使其显影，然后去除粉尘，来形成精细图案结构。借助于使用去离子水(DI水)或化学品的湿法清洁过程去除在这些过程中产生的颗粒。

一般来说，清洁和干燥设备包括用于固定晶片的晶片卡盘。当通过发动机旋转由晶片卡盘固定的晶片时，DI水或化学品被供应至晶片表面。由于晶片的旋转力，供应的DI水或化学品扩散到晶片的整个表面以进行清洁和干燥过程。

在这种单晶片清洁和干燥设备中，使用DI水冲洗晶片，然后使用氮气干燥冲洗过的晶片。

然而，随着近来晶片直径更大、晶片图案更精细的趋势，DI水不能完全被去除(未干燥)。因为暴露在空气中使晶片清洁和干燥，所以外部环境对晶片影响极大，从而使晶片的干燥较差。

发明内容

本发明的示例性实施例涉及一种基材处理设备。在示例性实施例中，这种基材处理设备可以包括：带有卡盘的基材支撑单元，基材装载在所述卡盘上；底部室，所述底部室具有打开的顶部并用于围住所述卡盘的周边；顶部室，所述顶部室用于打开或关闭所述底部室的顶部，使得在所述基材与外部隔离时对所述基材进行干燥处理，在所述顶部室的内部形成上部空间，所述上部空间具有环形的边缘部分和从所述边缘部分延伸的中心部分；以及间接喷嘴，所述间接喷嘴安装在所述顶部室的边缘部分中并用于向所述中心部分喷射干燥流体，使得干燥流体间接地喷射到所述基材的中心，然后扩散到所述基材的边缘。

优选的是，所述中心部分高于所述边缘部分。此外，在所述顶部室的内部、所述上部空间的下面可以形成下部空间，以及在所述下部空间与所述边缘部分之间可以设置凸壁，其中在所述中心部分与所述下部空间之间可以形成中心孔，从而所述中心部分中的干燥流体流向所述下部空间。

所述凸壁的上表面可以包括导向表面，所述导向表面朝着所述中心部分向上倾斜，所述凸壁的下表面具有导向表面，所述导向表面朝着所述基材的边缘向下倾斜。

在另一个示例性实施例中，这种基材处理设备可以包括：带有卡盘的基材支撑单元，基材装载在所述卡盘上；腔室，所述基材支撑单元的卡盘设置在所述腔室中并且所述腔室用于限定密封空间，使得在所述基材与外部隔离时对所述基材进行干燥处理；以及间接喷嘴，所述间接喷嘴用于朝着所述腔室的中心向上喷射干燥流体，使得干燥流体没有直接地喷射到所述基材表面上。

在另一个示例性实施例中，这种基材处理设备可以包括：带有卡盘的基材支撑单元，基材装载在所述卡盘上；底部室，所述底部室具有打开的顶部并用于围住所述卡盘的周边；以及顶部室，所述顶部室用于密封所述底部室的顶部，使得在与外部空气隔离的空间中对所述基材进行干燥处理。

本发明的示例性实施例涉及一种使用上述基材处理设备的基材处理方法。在示例性实施例中，这种基材处理方法可以包括：将基材装载到设置在底部室内部的卡盘上；向装载的基材供应化学品以对所述基材进行化学处理；以及当顶部室密封所述底部室的打开顶部时，利用安装在所述顶部室的间接喷嘴从所述顶部室的边缘向中心喷射干燥流体；经在所述顶部室中心形成的中心孔排放在所述顶部室中心聚集的干燥流体；以及当排放的干燥流体从所述基材中心向其边缘逐渐扩散时使化学处理的基材干燥。

附图说明

图1显示了本发明的基材处理设备。

图2显示了图1的基材处理设备的部分打开的底部室。

图3显示了图1的基材处理设备的完全打开的底部室。

图4显示了顶部室。

图5显示了从图4的顶部室的第一喷嘴喷射的干燥流体的流动。

图6是本发明基材处理方法的流程图。

具体实施方式

下面参考显示本发明优选实施例的附图，将更完整地描述本发明。然而，可以以许多不同的形式体现本发明，并且不应当认为本发明限制于在此描述的实施例。相反，提供这些实施例将使本发明内容清楚、完整，并向本领域技术人员充分表达本发明的范围。相同的附图标记始终表示相同的元件。