[发明专利]用于降低MTCMOS电路中模式转变期间的能量消耗的电荷再循环

权利要求书

1.一种电路，包括：

经由第一休眠晶体管连接到地的第一电路块；

所述第一电路块和所述第一休眠晶体管之间的虚拟地节点；

经由第二休眠晶体管连接到电源的第二电路块；

所述第二电路块和所述第二休眠晶体管之间的虚拟电源节点；以及

传输门或分流晶体管，其将所述虚拟地节点连接到所述虚拟电源节点，以实现在所述电路从活动模式转变到休眠模式和从休眠模式转变到活动模式期间所述第一电路块和所述第二电路块之间的电荷再循环。

2.如权利要求1所述的电路，其中所述第一休眠晶体管是n沟道金属氧化物半导体休眠晶体管，所述第二休眠晶体管是p沟道金属氧化物半导体休眠晶体管。

3.如权利要求1所述的电路，其中所述传输门包括n沟道金属氧化物半导体晶体管和p沟道金属氧化物半导体晶体管，所述n沟道金属氧化物半导体晶体管的源极连接到所述p沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极，所述n沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极连接到所述p沟道金属氧化物半导体晶体管的源极。

4.如权利要求1所述的电路，其中所述传输门或所述分流晶体管的大小维持或减小所述电路的唤醒时间。

5.如权利要求1所述的电路，其中所述传输门或分流晶体管的布置和大小设置考虑到了以下之一或两者：唤醒延迟，由模式转变引起的能量消耗。

6.如权利要求1所述的电路，包括多个传输门或分流晶体管。

7.一种用于降低多阈值互补金属氧化物半导体电路中模式转变期间的能量消耗的方法，包括：

将电路从休眠模式切换到活动模式，所述电路包括：经由第一休眠晶体管连接到地的第一电路块；所述第一电路块和所述第一休眠晶体管之间的虚拟地节点；经由第二休眠晶体管连接到电源的第二电路块；所述第二电路块和所述第二休眠晶体管之间的虚拟电源节点；以及传输门或分流晶体管，其将所述虚拟地节点连接到所述虚拟电源节点，以实现在所述电路从活动模式转变到休眠模式和从休眠模式转变到活动模式期间所述第一电路块和所述第二电路块之间的电荷再循环，从休眠模式到活动模式的切换包括：

接通所述传输门或所述分流晶体管；

在经过预定的一段时间之后关断所述传输门或所述分流晶体管；并且

在关断所述传输门或所述分流晶体管之后接通所述第一和第二休眠晶体管；以及

将所述电路从活动模式切换到休眠模式，从活动模式到休眠模式的切换包括：

关断所述第一和第二休眠晶体管；

在关断所述第一和第二休眠晶体管之后接通所述传输门或所述分流晶体管；并且

在经过预定的一段时间之后关断所述传输门或所述分流晶体管。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述第一休眠晶体管是n沟道金属氧化物半导体休眠晶体管，所述第二休眠晶体管是p沟道金属氧化物半导体休眠晶体管。

9.如权利要求7所述的方法，其中所述传输门包括n沟道金属氧化物半导体晶体管和p沟道金属氧化物半导体晶体管，所述n沟道金属氧化物半导体晶体管的源极连接到所述p沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极，所述n沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极连接到所述p沟道金属氧化物半导体晶体管的源极。

10.如权利要求7所述的方法，其中所述传输门的大小或者所述分流晶体管的大小维持或减小所述电路的唤醒时间。

11.一种电路，包括：

经由第一休眠晶体管连接到地的至少一个虚拟接地线；

经由第二休眠晶体管连接到电源的至少一个虚拟电源线；

至少一个第一电路块行或电路块组，其中每个电路块连接到所述虚拟接地线之一和所述电源；

至少一个第二电路块行或电路块组，其中每个电路块连接到所述虚拟电源线之一和地；

至少一个传输门或至少一个分流晶体管，其将所述虚拟接地线的节点连接到所述虚拟电源线的节点，以实现在所述电路从活动模式转变到休眠模式、从休眠模式转变到活动模式或这两种转变期间所述第一电路块行或电路块组中的电路块和所述第二电路块行或电路块组中的电路块之间的电荷再循环。

12.如权利要求11所述的电路，其中所述第一休眠晶体管是n沟道金属氧化物半导体休眠晶体管，所述第二休眠晶体管是p沟道金属氧化物半导体休眠晶体管。