[发明专利]粘合方法以及粘合装置有效
申请号: | 200710108777.X | 申请日: | 2007-05-31 |
公开(公告)号: | CN101083216A | 公开(公告)日: | 2007-12-05 |
发明(设计)人: | 伊藤恭介;中村理;铃木幸惠 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;G06K19/077;H05K13/04 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;张志醒 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 粘合 方法 以及 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种使半导体集成电路电连接到设置在柔性(具有挠性的)衬底上的电路(或者元件)的半导体器件的制造方法。本发明特别涉及一种使用卷到卷(roll to roll)方式的半导体器件的制造方法。本发明涉及一种半导体器件的制造方法,在该半导体器件中使半导体集成电路电连接到形成在柔性衬底上的天线。本发明涉及一种半导体器件的制造方法,在该半导体器件中利用通过天线的无线通讯而输入/输出数据。此外,本发明还涉及一种半导体器件的制造装置。
背景技术
具有天线及与该天线电连接的半导体集成电路的半导体器件作为RFID标签引人注目。RFID标签也被称为IC标签、ID标签、转发器、IC芯片、ID芯片。已经提出了一种RFID标签的制造方法,其中,在柔性衬底上设置多个天线,使半导体集成电路以一对一的形式电连接到该多个天线(参照专利文献1)。
此外,已经提出了如下方法:在一张衬底(以下也称作元件衬底)上形成多个半导体集成电路,将多个半导体集成电路逐个地取下,并将取下来的半导体集成电路安装在与元件衬底不同的衬底上(参照专利文献2)。
[专利文献1]专利申请公开2005-115646号公报
[专利文献2]专利申请公开2000-299598号公报
发明内容
当不将排列在第一柔性衬底上的半导体集成电路和排列在第二柔性衬底上的天线重新排列而使它们直连接时,可以缩短节拍时间(tacttime)。
然而,从降低成本的观点来看,优选在元件衬底上使多个半导体集成电路高集成化而形成。此外,还优选使半导体集成电路的面积为小。另一方面,需要使天线成为预定的形状及尺寸,以便使它接收预定频率的电磁波。因此,半导体集成电路以及天线的尺寸成为不同。并且配置密度成为不同。在这种情况下,不重新排列而使形成在元件衬底上的多个半导体集成电路同时电连接到柔性衬底上的多个天线就不能实现。
因此,例如使用如专利文献2所记载的方法,必须要对形成在元件衬底上的所有半导体集成电路反复如下操作:将形成在元件衬底上的多个半导体集成电路之一取下来,并使它连接到柔性衬底上的多个天线之一。由此,导致如下问题:节拍时间长且半导体器件的制造成本高。
鉴于上述问题,本发明的目的在于提供一种粘合方法以及粘合装置。该粘合方法以及粘合装置在具有不同配置密度或配置间隔的多个零部件的粘合方法以及粘合装置中可以缩短节拍时间。本发明的目的还在于提供一种低成本的半导体器件的制造方法以及可以低成本制造半导体器件的制造装置。
本发明的特征是:在改变第一零部件的X方向上的配置间隔的同时使第一零部件临时固定第一柔性衬底之后,在改变第一零部件的在Y方向上的配置间隔的同时使第一零部件连接到第二柔性衬底上的第二零部件,而使具有不同配置密度的零部件多个组地同时粘合。
典型的是:在支撑单元上矩阵状地配置多个第一零部件,并使间隔在X方向上成为x(x>0)且在Y方向上成为y(y>0);在使第一零部件的在X方向上的配置间隔从x改变到a的同时将第一零部件临时固定到第一柔性衬底之后,在使第一零部件的在Y方向上的配置间隔从y改变到b的同时将第一零部件连接到第二柔性衬底上的第二零部件,而连续使具有不同配置密度的零部件粘合。
注意,可以根据供给第一柔性衬底的滚筒以及回收第一柔性衬底的滚筒的各自的转动速度、以及将第一零部件临时固定到第一柔性衬底的周期,而控制间隔a。此外,可以根据供给第一柔性衬底的滚筒以及回收第一柔性衬底的滚筒、供给第二柔性衬底的滚筒以及回收第二柔性衬底的滚筒的各自的转动速度,以及将第一零部件临时固定到第二柔性衬底的周期,而控制间隔b。
此外,X方向和Y方向形成的角度θ大于0度且小于180度。此外,角度θ也可以为90度。再者,还可以使X方向和Y方向形成的角度成为90度,并使第一柔性衬底和第二柔性衬底的各表面相对,且使各衬底的长边所形成的角度成为大于0度且小于90度,或者大于90度且小于180度。
此外,第一柔性衬底的宽度以及第二柔性衬底的宽度既可以为相同,又可以为不相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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