[发明专利]声界面波器件、谐振器和滤波器

说明书

技术领域

本发明总体上涉及声界面波器件，更具体地涉及在第一介质上设置有电极的声界面波器件，其中在所述电极和所述第一介质上设置有第二介质，在所述第二介质上设置有第三介质。此外，本发明涉及使用这种声界面波器件的谐振器和滤波器。

背景技术

作为使用声波的器件，公知有表面声波(SAW)器件。在对45MHz至2GHz的频率范围中的无线电信号进行处理的各种电路中，广泛使用SAW器件。通常，这种电路设置在蜂窝电话中，例如是发送/接收滤波器、接收带通滤波器、本机振荡滤波器、天线双工器、IF滤波器和FM调制器。

为了改善温度特性，日本特开2003-209458号公报(文献1)公开了一种具有压电基板的SAW器件，在该压电基板上形成有温度特性的符号不同于该压电基板的温度特性的符号的氧化硅膜。此外，该SAW器件具有主要通过压电基板的表面传播的声波。因此，压电基板的表面上的杂质粒子可能使特性发生改变或劣化。例如，可能改变频率，或者可能增大电气损耗。因而，将该SAW芯片封装在密封结构中。这使得难以缩小SAW器件和降低生产成本。

为了实现温度特性的改善、尺寸的减小和成本的降低，在WO98/52279(文献2)或Masatsune Yamaguchi，Takashi Yamashita，Ken-yaHashimoto，Tatsuya Omori的“Highly Piezoelectric Boundary Waves inSi/SiO₂/LiNbO₃ Structure”，proceeding of 1998 IEEE International FrequencyControl Symposium(the United States)，IEEE，1998，pp.484-488(文献3)中提出了声界面波器件。界面波沿着不同介质之间的界面传播。图1是文献2中公开的声界面波器件的平面图。虚线表示设置在第三介质16和第二介质14下方的电极12。电极12形成在压电基板10上，第二介质14设置在电极12上。第二介质14由氧化硅膜形成，第三介质16由硅膜形成。电极12包括一对梳状电极20和一对反射器24。引出电极22连接到梳状电极20，而没有引出电极连接到反射器24。在引出电极22上没有形成第二介质14和第三介质16。

在蜂窝电话的天线电路附近使用的双工器或滤波器需要实现对高输入电压的足够抵抗性的耐电性。提高耐电性的方式之一是改善热辐射性。

图2是沿着图1所示的线A-A截取的示意性剖面图。在基板10上形成有电极，设置有第二介质14以覆盖电极12。此外，在第二介质14上设置有第三介质16。如箭头所示，电极12中产生的一部分热量传过基板10，然后发生辐射。相反，通过第二介质14传导到第三介质16的热量不发生辐射，使得电极12的温度上升。这劣化了耐电性。

发明内容

鉴于以上情况做出了本发明，本发明提供一种热辐射性得到改善的的声界面波器件。

本发明的另一目的是提供使用这种声界面波器件的谐振器和滤波器。

根据本发明的一个方面，提供了一种声界面波器件，该声界面波器件包括：具有压电性的第一介质；多个电极，其设置在所述第一介质上，并激发声波；第二介质，其由不同于所述第一介质的材料制成，并按覆盖所述多个电极的方式设置在所述第一介质上；以及第三介质，其导热率高于所述第二介质的导热率，并被设置为接触所述第二介质的上表面以及所述第二介质的侧面的至少一部分，其中，所述第三介质的至少一部分接触所述第一介质。

根据本发明的一个方面，提供了一种声界面波器件，该声界面波器件包括：具有压电性的第一介质；多个电极，其设置在所述第一介质上，并激发声波；第二介质，其由不同于所述第一介质的材料制成，并按覆盖所述多个电极的方式设置在所述第一介质上；第三介质，其导热率高于所述第二介质的导热率，并被设置为接触所述第二介质的上表面以及所述第二介质的侧面的至少一部分；以及至少设置在所述第一介质与所述第三介质之间的阻挡层，其中，所述第三介质的至少一部分隔着所述阻挡层与所述第一介质热接触。