[发明专利]存取性能调整方法和存储装置无效
申请号: | 200710108973.7 | 申请日: | 2004-07-13 |
公开(公告)号: | CN101064164A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
发明(设计)人: | 山本道夫 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | G11B20/18 | 分类号: | G11B20/18;G11B27/10;G11B5/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存取 性能 调整 方法 存储 装置 | ||
1.一种用于存储装置的存取性能调整方法,该存储装置具有带有用于避开多个缺陷磁道的多个备用磁道的记录介质,该方法的特征在于包括以下步骤:
如果多个磁头的预定间隔的多个柱面位置之间的差异大于可容许值,则通过对于位于所述记录介质上与所述多个备用磁道相对侧的磁头插入多个附加回避磁道,来获得用于校正所述多个磁头的多个柱面位置之间的差异的附加回避信息;以及
通过使用所述附加回避信息更新存储在存储器中的回避磁道信息,该磁道回避信息用于通过回避所述多个缺陷磁道来存取所述备用磁道。
2.一种存取性能调整方法,其特征在于包括以下步骤:
制备具有用于避开多个缺陷磁道的多个备用磁道的至少一个记录介质;以及
存储一个磁头对于所述多个缺陷磁道和所述多个备用磁道的多个数据写入起始位置之间的偏移量,将其作为所有磁头对于与所述多个缺陷磁道相对应的多个柱面的多个数据写入起始位置之间的偏移量,以使得在多个磁头之间随机存取性能一致。
3.一种存储装置,其特征在于:
具有用于避开多个缺陷磁道的多个备用磁道的至少一个记录介质;
获取部分,该获取部分被构造用来执行下述操作,如果多个磁头的预定间隔的多个柱面位置之间的差异大于可容许值,则通过对于位于所述记录介质上与所述多个备用磁道相对侧的磁头插入多个附加回避磁道,来获得用于校正所述多个磁头的多个柱面位置之间的差异的附加回避信息;
存储器,该存储器被构造用来存储通过避开所述多个缺陷磁道来存取所述备用磁道的回避磁道信息;以及
更新部分,该更新部分被构造用来通过使用所述附加回避信息更新存储在存储器中的所述回避磁道信息。
4.一种存储装置,其特征在于:
具有用于避开多个缺陷磁道的多个备用磁道的至少一个记录介质;以及
存储器,该存储器被构造用来存储一个磁头对于所述多个缺陷磁道和所述多个备用磁道的多个数据写入起始位置之间的偏移量,将其作为所有磁头对于与所述多个缺陷磁道相对应的多个柱面的多个数据写入起始位置之间的偏移量,以使得在多个磁头之间随机存取性能一致。
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