[发明专利]内连线结构以及形成内连线结构的方法

权利要求书

1.一种形成内连线结构的方法，包括：

提供衬底；

形成介电层于所述衬底之上；

执行第一缩小工艺，其中所述介电层缩小且具有第一缩小率；

于执行第一缩小工艺之后，形成导电结构于所述介电层中；以及

于形成导电结构之后，执行第二缩小工艺，其中所述介电层实质上缩小且具有第二缩小率。

2.如权利要求1所述的形成内连线结构的方法，其中所述第一与第二缩小率约为5-20％。

3.如权利要求1所述的形成内连线结构的方法，其中所述第一缩小率约为第一与第二缩小率总和的5-20％。

4.如权利要求1所述的形成内连线结构的方法，其中所述第一与第二缩小工艺包括紫外线固化、电子束固化或热固化。

5.如权利要求4所述的形成内连线结构的方法，其中所述第一与第二缩小工艺包括波长小于约365nm的紫外线固化。

6.如权利要求1所述的形成内连线结构的方法，其中所述介电层的介电常数小于约3.2。

7.如权利要求1所述的形成内连线结构的方法，其中于形成所述导电结构之后，还包括选择性移除所述介电层的顶端部分。

8.一种形成内连线结构的方法，包括：

提供衬底，

形成介电层于所述衬底之上，其中所述介电层的介电常数低于约3.5；

形成开口于所述介电层中；

用金属材料填满所述开口以形成金属结构；以及

于用金属材料填满所述开口之后，对所述介电层执行缩小处理，其中所述介电层的上表面具有弯曲部分，而所述弯曲部分位于所述金属结构与邻近的金属结构之间，且所述弯曲部分的边缘部分高于中央部分。

9.如权利要求8所述的形成内连线结构的方法，其中于填满所述开口之前，还包括对所述介电层执行额外的处理。

10.如权利要求9所述的形成内连线结构的方法，其中所述缩小处理与所述额外的处理包括波长小于约365nm的紫外线固化。

11.如权利要求8所述的形成内连线结构的方法，其中当所述金属结构与所述邻近的金属结构间的间隔小于约0.3μm且所述弯曲部分的水平长度小于约1500时，则所述弯曲部分的高度与水平长度的比值大于约0.14。

12.如权利要求11所述的形成内连线结构的方法，其中所述比值大于约0.2。

13.如权利要求8所述的形成内连线结构的方法，其中于形成所述金属结构之后，还包括选择性移除所述介电层的顶端部分。

14.一种内连线结构，包括：

衬底；

介电层位于所述衬底之上；

第一导体与第二导体于所述介电层中；

蚀刻缓冲层位于所述介电层上且覆盖至少一部分的所述第一与第二导体；以及

弯曲部分位于所述介电层与所述蚀刻缓冲层之间的交接处中，其中所述弯曲部分的边缘部分高于中央部分，且其中所述弯曲部分的高度与水平长度的比值大于约0.14。

15.如权利要求14所述的内连线结构，其中所述第一与第二导体间的间隔小于约0.3μm，且所述弯曲部分的水平长度小于约1500。