[发明专利]半导体装置及半导体测定装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置及半导体测定装置。

背景技术

在内置向照明用LED(发光二极管)或显示用LED提供电流的电流驱动用晶体管的半导体装置中，与电流驱动用晶体管的输出端连接的外部端子的规格均有规定，例如，当外部端子的电压为规定电压(例如，0.4V)时，负载电流为规定电流(例如，300mA)以上。

作为向LED供给电流的半导体装置，例如，日本特开2002-319707号公报的图15中公开了如下所述的LED驱动电路。图1表示上述公报的图15所示的现有的LED驱动电路图。

电源电压VDD施加于LED驱动电路100的电源端子10上。在恒流发生电路15中，误差放大电路12将基准电压电路11的输出电压Vref与电阻13的电压Va的差电压放大，该被放大的差电压控制晶体管14的栅电压。LED驱动电路100的外部端子1及2分别连接于LED19和LED20。这里，与流过电阻13的电流相同的电流流过晶体管14及16。在LED驱动电路100中，构成电流反射镜电路的晶体管16、17、18具有相同的特性，因此，与晶体管16相同的电流流过晶体管17、18。由于电流通过该晶体管17、18，所以LED19、LED20发亮。

为了确定半导体装置实际上是否按照规定动作，测定半导体装置的外部端子的电流及电压。

在测定时，当一边向外部端子供给电流，一边测定端子电压的场合，因从测定装置到半导体装置的外部端子之间存在的、测定装置内部的配线电阻、IC插头的配线电阻、以及IC插头与外部端子的接触电阻等为起因发生电压降，因此，很难准确测定电压。

在现有的技术中，用被称为开尔文探测器的特殊探测器来测定半导体装置的外部端子的电流及电压。在该探测器中，供给电流的力探针和检测电压的传感探针处于绝缘状态，使该两个探针与半导体装置的外部端子接触。

日本特开2004-150981号公报公开了关于半导体装置外部端子为引线形式的IC场合的开尔文探测器：一种半导体装置的电气特性测定装置及电气特性测定方法，不受引线端子的尺寸变动的影响，能使两个测定用接触子与引线端子可靠接触。

另外，日本特开2005-28335号公报和特开2006-38459号公报公开了关于半导体装置外部端子为焊接球如BAG封装等场合：前者公开了一种用两个探针能自由地检查焊接球的2探针开尔文探测器；后者公开了一种能准确测定收藏在BAG封装中的元件的电气特性的BAG封装用检查工具及检查方法。

还有，在半导体装置外部端子的电流及电压测定中，不使用如上所述的开尔文探测器场合，在半导体装置中，将外部端子分成两部分，即，单独设置电流供给用端子和电压测定用端子。

但是，随着近年的IC封装的小型化，半导体装置的外部端子形状变得越来越小。用开尔文探测器测定时，因使两个电极在绝缘状态下与一个外部端子接触，所以随着外部端子的小型化，接触可靠性降低。再有，开尔文探测器本身的小型化也有限度。另外，当将半导体装置外部端子分成电流供给端子和电压检测端子的两部分场合，在半导体测定装置中必须设置电流供给装置和电压测定装置，使得半导体测定装置变得复杂、成本高。

发明内容

本发明就是为解决上述先有技术所存在的问题而提出来的，本发明的目的在于，提供一种在半导体装置外部端子的电流及电压测定时不需要开尔文探测器及电压测定装置的半导体装置及半导体测定装置。

为了实现上述目的，本发明提出一种半导体装置，具有用于连接负载的第一外部端子，内置用于向上述负载提供电流的电流驱动用晶体管，其特征在于，包括：

比较器，用于比较上述第一外部端子电压和基准电压；

第二外部端子，与上述比较器的输出端连接；。

升压电路，将电源电压提升，向上述负载供给电力；

其中，上述升压电路的升压率根据上述比较器的输出变化。按照本构成，能够在上述第一外部端子的电压达到基准电压时输出表示其的信号。并且，按照本构成，不必要追加新的比较器，能抑制电路规模增大。

为了实现上述目的，本发明提出一种半导体测定装置，用于测定半导体装置，上述半导体装置具有用于连接负载的第一外部端子，和用于向上述负载提供电流的电流驱动用晶体管，和用于比较上述第一外部端子电压和基准电压的比较器，和与上述比较器的输出端连接的第二外部端子，其特征在于，包括：

可变电压源，向上述第一外部端子供给电压；

电流测定电路，用于测定流过上述第一外部端子和上述可变电压源之间的电流；