[发明专利]无定型碳层的低温沉积方法无效

专利信息
申请号: 200710110775.4 申请日: 2007-06-13
公开(公告)号: CN101122011A 公开(公告)日: 2008-02-13
发明(设计)人: 唐桑叶;栾辛乔;克旺达克·道格拉斯·李;金博宏 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: C23C16/26 分类号: C23C16/26;C23C16/52;C23C16/455;H01L21/033
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人: 赵飞
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 定型 低温 沉积 方法
【权利要求书】:

1.一种沉积无定型碳膜的方法,包括:

在处理室中提供衬底;

使包含至少烃化合物和惰性气体的气体混合物流入所述处理室,其中所述烃化合物具有大于5个碳原子;

将所述衬底保持在低于450℃的温度下;以及

将无定型碳膜沉积在所述衬底上。

2.如权利要求1的方法,其中所述烃化合物包括甲苯、苯和己烷中的至少一种。

3.如权利要求1的方法,其中所述烃化合物包括下列中的至少一种:戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙烯、丙烯、丁烯、戊烯、丁二烯、异戊二烯、戊二烯、己二烯、乙炔、乙烯基乙炔、环丙烷、环丁烷、环戊烷、环戊二烯、甲苯、苯、苯乙烯、二甲苯、吡啶、乙苯、苯乙酮、苯甲酸甲酯、乙酸苯酯、苯酚、甲酚、呋喃、α-萜品烯和甲基异丙苯,及其组合。

4.如权利要求1的方法,其中保持所述衬底温度的步骤还包括:

将所述衬底温度保持在约250-450℃。

5.如权利要求1的方法,其中被沉积的无定型碳膜具有大于20%的阶梯覆盖比。

6.如权利要求1的方法,其中流入所述气体混合物的步骤还包括:

以约200-1000sccm的流率流入所述烃化合物;以及

以约200-10000sccm的流率流入所述惰性气体。

7.如权利要求1的方法,其中所述惰性气体包括Ar和He中的至少一种。

8.如权利要求1的方法,其中沉积所述无定型碳膜的步骤还包括:

通过应用约50-2000W的RF功率来保持由所述气体混合物形成的等离子体。

9.如权利要求8的方法,其中沉积所述无定型碳膜的步骤还包括:应用10-2000W的第二RF功率。

10.如权利要求1的方法,其中流入气体混合物的步骤还包括:

使附加气体与所述气体混合物一起流入所述处理室。

11.如权利要求10的方法,其中所述附加气体选自N2、NO、II2和NH3

12.一种沉积无定型碳膜的方法,包括:

在处理室中提供衬底;

使包含至少烃化合物和惰性气体的气体混合物流入所述处理室,其中所述烃化合物具有大于5个碳原子;

将所述衬底保持在约250-450℃的温度下;以及

将无定型碳膜沉积在所述衬底上。

13.如权利要求12的方法,其中所述烃化合物包括甲苯、苯和己烷中的至少一种。

14.如权利要求12的方法,其中所述烃化合物选自戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙烯、丙烯、丁烯、戊烯、丁二烯、异戊二烯、戊二烯、己二烯、乙炔、乙烯基乙炔、环丙烷、环丁烷、环戊烷、环戊二烯、甲苯、苯、苯乙烯、二甲苯、吡啶、乙苯、苯乙酮、苯甲酸甲酯、乙酸苯酯、苯酚、甲酚、呋喃、α-萜品烯和甲基异丙苯,及其组合。

15.如权利要求12的方法,其中所述惰性气体包括Ar和He中的至少一种。

16.如权利要求12的方法,其中流入所述气体混合物的步骤还包括:

以约200-1000sccm的流率流入所述烃化合物;

以约200-10000sccm的流率流入所述惰性气体。

17.如权利要求12的方法,其中沉积所述无定型碳膜的步骤还包括:

应用50-2000W的RF功率。

18.如权利要求17的方法,其中沉积所述无定型碳膜的步骤还包括:

应用10-2000W的第二RF功率。

19.如权利要求12的方法,其中被沉积的无定型碳膜具有大于20%的阶梯覆盖比。

20.一种沉积无定型碳膜的方法,包括:

在处理室中提供具有图案化结构的衬底;

使包含至少烃化合物和惰性气体的气体混合物流入所述处理室,其中所述烃化合物具有大于5个碳原子;

将所述衬底保持在约250-450℃的温度下;以及

将无定型碳膜沉积在所述衬底上,其中所述无定型碳膜具有大于20%的阶梯覆盖比。

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