[发明专利]软模的制造装置以及使用该装置制造软模的方法

说明书

本申请要求享有2006年6月13日提交的韩国专利申请No.2006-0053127的优先权，在此结合其内容作为参考。

技术领域

本发明涉及用于形成图案的模具，并且更具体地涉及用于软模的制造装置以及使用该装置制造软模的方法。

背景技术

通常，TFT用作液晶显示器件(LCD)和有机电致发光显示器件(OELD)的开关元件和驱动元件。参照图1A到图1G解释TFT的制造方法，这些附图示出了根据现有技术的TFT制造工序的截面图。

图1A和图1B示出了第一掩模工序。如图1A所示，通过在基板10上沉积第一金属材料形成第一金属层12。第一金属材料可包括铝(AL)和铝合金(AlNd)其中之一。随后，通过在第一金属层12上涂覆光刻胶(PR)材料形成第一PR层14。PR材料可划分为正型和负型。在正型时，通过显影去除PR层的照射部分。与正型相反，通过在负型中显影而保留PR层的照射部分。在该实施方式中，使用正型PR材料。具有透射部分A和遮蔽部分B的第一掩模M设置在第一PR层14之上，并且通过透过第一掩模M的光对第一PR层14进行曝光。透射部分A具有大于遮蔽部分B的透过率。例如，透射部分A的透过率约为100％，而遮蔽部分B的透过率约为0％。

接下来，对PR层14进行显影，并且随后去除第一PR层14中由光曝光的部分，以在第一金属层12上形成第一PR图案16。从而，暴露出除了第一PR图案16之下部分以外的第一金属层12。

接下来，如图1C所示，使用第一PR图案16作为蚀刻掩模对暴露的第一金属层12进行蚀刻，以在基板10上形成栅极18。并且随后去除第一PR图案16。在包括栅极18的基板的整个表面上形成栅绝缘层20。

图1D示出了第二掩模工序。在栅绝缘层20上顺序形成本征非晶硅层(未示出)和掺杂非晶硅层(未示出)。使用第二掩模(未图示)作为构图对本征非晶硅层(未示出)和掺杂非晶硅层(未示出)进行构图，以在栅绝缘层20上形成有源层22和欧姆接触图案24。有源层22和欧姆接触图案24对应于栅极18。有源层22由非晶硅(a-Si:H)形成，而欧姆接触图案24由掺杂有杂质的非晶硅(n+a-Si:H)形成。

图1E示出了第三掩模工序。在欧姆接触图案24上形成第二金属层(未示出)。第二金属层(未示出)可包括铝(AL)、铝合金(AlNd)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)和铜(Cu)其中之一。使用第三掩模(未示出)作为蚀刻掩模对第二金属层(未示出)进行蚀刻，以在欧姆接触图案24上形成源极26和漏极28。源极26和漏极28彼此分开以暴露出源极26和漏极28之间的欧姆接触图案24。去除源极和漏极28之间的欧姆接触图案24以形成欧姆接触层25并且暴露出源极26和漏极28之间的有源层22。暴露于源极26和漏极28之间的有源层22被限定为沟道区域。

接下来，图1F示出了第四掩模工序。如图1F所示，在包括源极26和漏极28的基板的整个表面上形成钝化层30。钝化层30包括诸如二氧化硅(SiO₂)和硅氮化合物(SiNx)的无机绝缘材料，以及诸如苯并环丁烯(BCB)和丙烯酸树脂的有机绝缘材料。使用第四掩模(未示出)作为构图掩模对钝化层30进行构图以形成暴露出漏极28的漏接触孔32。

图1G示出了第五掩模工序。如图1G所示，在钝化层30上形成透明导电材料层(未示出)并且使用第五掩模(未示出)作为蚀刻掩模进行蚀刻以形成像素电极34。像素电极34通过漏接触孔32与漏极28接触。透明导电材料层可包括铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的其中之一。

通过上述工序制造TFT及与其相连接的像素电极。

如上所示，TFT的制造工序要求许多掩模工序。掩模工序可包括涂覆PR层的步骤，使用掩模对PR层进行曝光的步骤，对PR层进行显影的步骤，去除PR层以形成PR图案的步骤，去除由PR图案暴露出的材料层的步骤等。因此，由于该掩模工序而增加了制造成本并且降低了产量。

发明内容

因此，本发明提供了一种用于软模的制造装置以及使用该装置制造软模的方法，其基本上避免了由于现有技术的限制和缺陷造成的一个或多个技术问题。

本发明附加的特征和优点将在以下说明书中阐明，并且从以下描述中将部分显而易见，或者通过实施本发明可以理解。本发明的目的和其它优点将通过在书面说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构得到实现和获得。