[发明专利]液晶显示器及其制造方法

权利要求书

1.一种显示装置，包括：

薄膜晶体管TFT基板，具有显示区域和围绕所述显示区域的周边区域，其中所述TFT基板包括：

基板；

第一TFT，形成在所述周边区域中，所述第一TFT包括半导体层和形成在所述半导体层上的电阻接触构件；

光阻挡半导体图案；及

第二TFT，形成在所述显示区域中并包括栅极电极；

对基板；

密封剂，将所述TFT基板耦接到所述对基板，其中所述密封剂覆盖所述第一TFT；及

液晶层，置于所述TFT基板和所述对基板之间，

其中所述光阻挡半导体图案与所述第一TFT相邻地形成并且与所述半导体层同时形成。

2.如权利要求1的显示装置，还包括形成在所述光阻挡半导体图案上的电阻接触图案，其中所述电阻接触图案与所述电阻接触构件同时形成。

3.如权利要求1的显示装置，其中所述第一TFT包括形成在所述半导体层上的源极电极和漏极电极。

4.如权利要求3的显示装置，其中所述第一TFT还包括将所述漏极电极与栅极线连接的连接部件。

5.如权利要求3的显示装置，其中所述源极电极和所述漏极电极分别以预定距离与所述光阻挡半导体图案间隔开。

6.如权利要求3的显示装置，还包括：

光阻挡金属层，形成在所述光阻挡半导体图案上并包括与所述源极电极和所述漏极电极基本相同的材料。

7.如权利要求1的显示装置，其中所述光阻挡半导体图案包括氢化非晶硅或晶体硅中的至少一种。

8.如权利要求1的显示装置，其中所述密封剂覆盖所述光阻挡半导体图案的至少一部分。

9.一种制造显示装置的方法，包括：

形成具有显示区域和周边区域的薄膜晶体管TFT基板；

形成所述周边区域中的第一栅极电极和所述显示区域中的第二栅极电极；

在所述第一栅极电极和所述第二栅极电极上形成半导体层和电阻接触构件；

通过构图所述电阻接触构件和所述半导体层在所述第一栅极电极上形成第一半导体层和第一电阻接触构件；

在所述周边区域中形成光阻挡半导体图案和电阻接触图案；

在所述第一电阻接触构件上形成导电层；

通过构图所述导电层形成第一源极电极和第一漏极电极；及

形成置于所述TFT基板和对基板之间的密封剂，其中所述密封剂覆盖所述第一半导体层。

10.如权利要求9的方法，还包括：

在所述第二栅极电极上形成第二半导体层和第二电阻接触构件。

11.如权利要求10的方法，还包括：

在所述第二电阻接触构件上形成第二源极电极和第二漏极电极。

12.如权利要求9的方法，还包括：

形成钝化层，所述钝化层具有暴露所述第一漏极电极的第一接触孔和暴露栅极线的第二接触孔；及

在所述钝化层上形成连接部件，所述连接部件将所述第一漏极电极与所述栅极线连接。

13.如权利要求9的方法，其中所述第一源极电极和所述第一漏极电极以预定距离与所述光阻挡半导体图案分隔开。

14.如权利要求9的方法，还包括：

在所述光阻挡半导体图案上形成光阻挡金属层，所述光阻挡金属层包括与所述源极电极和所述漏极电极基本相同的材料。

15.如权利要求9的方法，其中所述光阻挡半导体图案包括氢化非晶硅或晶体硅中的至少一种。

16.如权利要求9的方法，其中所述密封剂覆盖所述光阻挡半导体图案的至少一部分。