[发明专利]液晶显示器及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器及制造液晶显示器的方法，尤其涉及具有提高的显示质量的液晶显示器。

背景技术

液晶显示器(LCD)是通常使用的平板显示器。LCD包括具有电极的两个基板及置于两个基板之间的液晶层。通过向电极施加电压并重新排列液晶层的液晶分子，可以调整透射通过两个基板的光量。

LCD包括薄膜晶体管(TFT)基板和对基板，TFT基板在显示区域具有矩阵形式的多个像素电极，对基板具有形成在对基板表面上的公共电极。每个像素电极接收驱动电压从而显示图像。TFT基板包括像素TFT、传送信号以控制像素TFT的多条栅极线、及传送驱动电压到像素电极的多条数据线，所述像素TFT连接到每个像素电极从而开关施加到像素电极的驱动电压。像素TFT可以响应于栅极信号传送或阻塞通过多条数据线传送的图像信号。栅极信号从设置在围绕显示区域的周边区域中的栅极驱动IC通过多条栅极线传送。

通过在TFT基板上集成包括驱动TFT的栅极驱动电路可以提高制造效率。当显示图像时，背光组件产生的部分光穿过周边区域并从对基板反射。然后，被反射的光可以射在驱动TFT上。

由于驱动TFT对光敏感，射在驱动TFT上的被反射光会不利地影响驱动TFT的操作。

发明内容

本发明的示例性实施例提供一种能够提高显示质量的液晶显示器及制造液晶显示器的方法。

根据本发明的示例性实施例，一种显示装置包括薄膜晶体管(TFT)基板、面对TFT基板的对基板、密封剂、及置于所述TFT基板和对基板之间的液晶层。所述TFT基板可包括：基板，具有显示区域和周边区域；第一TFT，形成在所述周边区域中并具有半导体层和形成在所述半导体层上的电阻接触构件；光阻挡半导体图案；第二TFT，形成在所述显示区域中并具有栅极电极。密封剂将所述TFT基板耦接到所述对基板，并覆盖所述第一TFT。

所述显示装置还可包括形成在所述光阻挡半导体图案上的电阻接触图案，并且所述电阻接触图案可以与所述电阻接触构件同时形成。

所述第一TFT还可包括形成在所述半导体层上的源极电极和漏极电极、及将所述漏极电极与栅极线连接的连接部件。所述源极电极和所述漏极电极可以与所述光阻挡半导体图案间隔开预定距离。所述光阻挡半导体图案可具有氢化非晶硅和/或晶体硅。所述密封剂可覆盖所述光阻挡半导体图案的至少一部分。

根据本发明的示例性实施例，一种制造显示装置的方法包括：形成具有显示区域和周边区域的薄膜晶体管(TFT)基板；形成所述显示区域中的第一栅极电极和所述周边区域中的第二栅极电极；在所述第一栅极电极和所述第二栅极电极上形成半导体层和电阻接触构件；通过构图所述电阻接触构件和所述半导体层在所述第一栅极电极上形成第一半导体层和第一电阻接触构件；在所述周边区域中形成光阻挡半导体图案和电阻接触图案；在所述第一电阻接触构件上形成导电层；通过构图所述导电层形成第一源极电极和第一漏极电极；及形成置于所述TFT基板和所述对基板之间的密封剂，其中所述密封剂覆盖所述第一半导体层。

当形成所述第一半导体层和所述第一电阻接触构件时，可以形成第二半导体层和第二电阻接触构件。

当形成所述第一源极电极和所述第一漏极电极时，可以形成第二源极电极和第二漏极电极。

制造显示装置的方法还可包括：形成钝化层，所述钝化层具有暴露所述第一漏极电极的第一接触孔和暴露栅极线的第二接触孔；及形成连接部件，所述连接部件将所述第一漏极电极与所述栅极线连接。

当形成所述第一源极电极和所述第一漏极电极时，所述第一源极电极和所述第一漏极电极可以与所述光阻挡半导体图案间隔开预定距离，并且可以在所述光阻挡半导体图案上形成光阻挡金属层。所述光阻挡金属层可具有与所述源极电极和所述漏极电极的材料基本相同的材料。

所述光阻挡半导体图案可具有氢化非晶硅和/或晶体硅。所述密封剂可覆盖所述光阻挡半导体图案的至少一部分。

附图说明

结合附图从下面的描述中可以更详细地理解本发明的示例性实施例，附图中：

图1是剖视图，示出了根据本发明示例性实施例的显示装置；

图2A至2E是剖视图，示出了根据本发明示例性实施例制造显示装置的方法；及

图3是剖视图，示出了根据本发明示例性实施例的显示装置。

具体实施方式

现在将参照附图更详细地说明本发明的示例性实施例。然而，本发明能够以很多不同方式实施，并且不应解释为局限于这里提出的示例性实施例。

图1是剖视图，示出了根据本发明示例性实施例的显示装置。