[发明专利]制作高张力薄膜的方法及机台

权利要求书

1.一种制作多晶硅应力层的方法，包括有：

提供基底，且该基底表面形成有至少一晶体管；

于该基底表面形成多晶硅应力层；以及

进行紫外线暨快速热处理工艺以硬化该多晶硅应力层，并调整该多晶 硅应力层的伸张应力。

2.如权利要求1所述的方法，其中该多晶硅应力层包括氮化硅、氧化 硅或氮氧化硅。

3.如权利要求1所述的方法，其中该多晶硅应力层的初镀膜的伸张应 力状态为1.5GPa以下。

4.如权利要求1所述的方法，其中该紫外线暨快速热处理工艺的温度 介于150～800℃。

5.如权利要求1所述的方法，其中该紫外线暨快速热处理工艺的实施 时间为60分钟之内。

6.如权利要求1所述的方法，其中该紫外线暨快速热处理工艺的压力 是介于3～500毫托。

7.如权利要求1所述的方法，其中该紫外线暨快速热处理工艺的紫外 线波长介于100～400纳米。

8.如权利要求1所述的方法，其中该紫外线暨快速热处理工艺还包括 通入氮气的步骤。

9.如权利要求1所述的方法，其中该紫外线暨快速热处理工艺还包括 通入惰性气体的步骤。

10.如权利要求1所述的方法，其中该硬化该多晶硅应力层及调整该多 晶硅应力层的伸张应力的步骤是于该紫外线暨快速热处理工艺中同时完 成。

11.如权利要求1所述的方法，其中进行该紫外线暨快速热处理工艺 后，该多晶硅应力层调整后的伸张应力状态介于0.5～3.0GPa。

12.如权利要求1所述的方法，其中该晶体管包括NMOS晶体管。

13.如权利要求1所述的方法，其中该晶体管的形成还包括有以下步 骤：

于该基底表面形成栅极结构；

于该栅极结构的侧壁形成间隙壁；以及

于该间隙壁周围的该基底中形成源极/漏极区域。

14.如权利要求13所述的方法，其中形成该多晶硅应力层的步骤是形 成该源极/漏极区域之后。

15.如权利要求1所述的方法，还包括移除该多晶硅应力层的步骤，进 行于该紫外线暨快速热处理工艺后。

16.一种制作接触洞蚀刻停止层的方法，包括有：

提供基底，且该基底表面包括有至少一栅极结构、至少一间隙壁以及 源极/漏极区域；

于该基底上形成金属层；

进行快速热退火工艺，使该些金属层分别于漏极/源极区域上以及该栅 极上形成过渡金属硅化物层；

于该基底表面形成接触洞蚀刻停止层；以及

进行紫外线暨快速热处理工艺以使该过渡金属硅化物层进行相转 变形成金属硅化物层，同时硬化该接触洞蚀刻停止层，并调整该接触洞 蚀刻停止层的伸张应力。

17.如权利要求16所述的方法，其中该金属层包括有钴、钛、镍、钨、 铂、钯、钼或上述金属的合金。

18.如权利要求16所述的方法，其中该快速热退火工艺的温度介于 400～600℃。

19.如权利要求16所述的方法，其中该接触洞蚀刻停止层包括氮化硅、 氧化硅或氮氧化硅。

20.如权利要求16所述的方法，其中该接触洞蚀刻停止层的初镀膜的 伸张应力状态为1.5GPa以下。

21.如权利要求16所述的方法，其中该紫外线暨快速热处理工艺的温 度介于150～800℃。

22.如权利要求16所述的方法，其中该紫外线暨快速热处理工艺的实 施时间为60分钟之内。

23.如权利要求16所述的方法，其中该紫外线暨快速热处理工艺的压 力介于3～500毫托。