[发明专利]纵向型半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种纵向型半导体器件，其特征在于：

包括：

第一导电型漏极区域，形成在衬底上，

第二导电型第一主体区域，形成在所述漏极区域上侧，沟槽，贯通所述第一主体区域而形成，

栅电极，隔着所述栅电极绝缘膜形成在所述沟槽内，且实现在所述沟槽的上部留下凹部这一状态，

绝缘膜，形成在所述栅电极上，且实现所述凹部被充填到中途这一状态，

第一导电型源极区域，形成在至少成为所述沟槽的壁部的所述第一主体区域的上部的一区域，且至少与所述栅电极的上部重叠，

第二导电型第二主体区域，形成在所述第一主体区域的上部的其它区域，且沿着所述沟槽的延伸方向与所述源极区域相邻接，

第二导电型第三主体区域，形成在所述源极区域和所述第二主体区域各自的上部，以及

布线层，分别与所述源极区域、所述第二主体区域以及所述第三主体区域保持接触。

2.根据权利要求1所述的纵向型半导体器件，其特征在于：

所述源极区域、所述第二主体区域及所述第三主体区域分别到达所述沟槽的壁面；

所述绝缘膜的上表面比所述源极区域以及所述第二主体区域的上表面都低；

所述布线层形成为覆盖着所述第三主体区域的上面和所述沟槽的壁面中比所述绝缘膜还往上的部分的样子，所述布线层由此而分别与所述源极区域、所述第二主体区域以及所述第三主体区域保持接触。

3.根据权利要求1所述的纵向型半导体器件，其特征在于：

所述沟槽的壁上端的角部被弄圆。

4.根据权利要求1所述的纵向型半导体器件，其特征在于：

进一步包括：贯通所述第一主体区域且平行于所述沟槽形成的其它沟槽；

所述源极区域、所述第二主体区域以及所述第三主体区域分别形成在所述沟槽和所述其它沟槽之间；

在所述沟槽和所述其它沟槽之间，由所述源极区域和所述第三主体区域构成的叠层结构、由所述第二主体区域和所述第三主体区域构成的叠层结构，分别具有顶部被弄圆的凸形状。

5.根据权利要求1所述的纵向型半导体器件，其特征在于：

所述第三主体区域，覆盖所述源极区域中与所述布线层接触的部分以外的其它部分。

6.根据权利要求1所述的纵向型半导体器件，其特征在于：

所述源极区域和所述布线层在所述沟槽的壁面保持接触。

7.根据权利要求1所述的纵向型半导体器件，其特征在于：

所述第二主体区域与所述布线层在所述沟槽的壁面保持接触；

所述第三主体区域和所述布线层在所述第三主体区域的上表面保持接触。

8.根据权利要求1所述的纵向型半导体器件，其特征在于：

所述漏极区域的耐压在8V以上且100V以下。

9.一种纵向型半导体器件的制造方法，其特征在于：

包括：

工序a，在衬底上形成第一导电型漏极区域；

工序b，在所述漏极区域的上侧形成第二导电型第一主体区域；

工序c，形成贯通所述第一主体区域的沟槽；

工序d，在所述工序c之后，在所述沟槽内隔着栅电极绝缘膜形成栅电极，且在所述沟槽的上部残留下凹部；

工序e，在所述工序d之后，形成充填所述凹部的绝缘膜；

工序f，在所述工序e之后，至少在成为所述沟槽的壁部的所述第一主体区域的上部的一区域形成第一导电型源极区域，且该第一导电型源极区域至少与所述栅电极的上部重叠；

工序g，在所述工序e之后，在所述第一主体区域的上部的其它区域形成第二导电型第二主体区域，且该第二导电型第二主体区域沿着所述沟槽的延伸方向与所述源极区域相邻接；

工序h，在所述工序f和所述工序g之后，在所述源极区域和所述第二主体区域各自的上部形成第二导电型第三主体区域；

工序i，在所述工序h之后，通过除去所述绝缘膜的上部而让所述源极区域、所述第二主体区域以及所述第三主体区域分别从所述沟槽的壁面露出来；以及

工序j，在所述工序i之后，形成分别与所述源极区域、所述第二主体区域以及所述第三主体区域接触的布线层。