[发明专利]具有电磁屏蔽功能的半导体封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种具有电磁屏蔽功能的半导体封装结构，包括：

一承载器，所述承载器至少包括一第一表面以及相对于所述第一表面的一第二表面，其中所述第一表面上具有若干个第一接垫以及至少一接地垫；以及

一半导体基材，设置在所述承载器的所述第一表面上，所述半导体基材包括一顶表面以及相对于所述顶表面的一底表面，所述顶表面电性连接至所述承载器的所述第一接垫；

其特征在于：所述半导体封装结构进一步包括：

一第一图案化钝化层，设置在所述半导体基材的所述顶表面上；

一图案化金属层，设置在所述第一图案化钝化层上；以及

一第一导线，所述第一导线电性连接所述图案化金属层以及所述承载器的所述接地垫。

2.如权利要求1所述的具有电磁屏蔽功能的半导体封装结构，其特征在于所述承载器在其内部设有一接地层，或在其第一表面上围绕所述半导体基材环设有一接地环，所述接地层或接地环用以电性连接至所述接地垫。

3.如权利要求1所述的具有电磁屏蔽功能的半导体封装结构，其特征在于所述半导体基材具有一微机电结构。

4.如权利要求3所述的具有电磁屏蔽功能的半导体封装结构，其特征在于所述微机电结构为一微机电式麦克风。

5.如权利要求1所述的具有电磁屏蔽功能的半导体封装结构，其特征在于所述第一图案化钝化层暴露出所述半导体基板的所述顶表面上所设的若干个第二接垫，并且所述第二接垫通过一第二导线电性连接至所述承载器的所述第一接垫。

6.如权利要求5所述的具有电磁屏蔽功能的半导体封装结构，其特征在于所述第一图案化钝化层上进一步包括：

一重布线路层，设置在所述第一图案化钝化层上，其中所述重布线路层电性连接于所述第二接垫；以及

一第二图案化钝化层，设置在所述重布线路层上并暴露出所述重布线路层的一部份，其中所述重布线路层的所述暴露部分通过一第二导线而电性连接至所述承载器的所述第一接垫。

7.一种具有电磁屏蔽功能的半导体封装结构的制造方法，包括下列步骤：

提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆上至少包括一顶表面以及相对于所述顶表面的一底表面，所述顶表面上具有若干个第一接垫；

切割所述半导体晶圆以形成若干个半导体基材，其中每一半导体基材的所述顶表面上具有一部份所述第一接垫；以及

将每一半导体基材设置在一承载器的一第一表面上，其中所述承载器包括一第一表面以及相对于所述第一表面的一第二表面，所述第一表面上具有若干个第二接垫以及至少一接地垫，其中所述第二接垫电性连接至每一半导体基材的所述部分第一接垫；

其特征在于：所述制造方法进一步包括下列步骤：

在所述半导体晶圆的所述顶表面上形成一第一图案化钝化层；

在所述第一图案化钝化层上形成一图案化金属层；以及

形成一第一导线，用以电性连接所述图案化金属层以及所述半导体基材的所述接地垫。

8.如权利要求7所述的具有电磁屏蔽功能的半导体封装结构的制造方法，其特征在于进一步包括在所述承载器的内部形成一接地层，或在所述承载器的所述第一表面上围绕每一半导体基材环设一接地环，所述接地层或接地环用以电性连接至所述接地垫。

9.如权利要求7所述的具有电磁屏蔽功能的半导体封装结构的制造方法，其特征在于形成所述第一图案化钝化层的步骤包括：

形成所述第一图案化钝化层在所述顶表面上，并暴露出所述顶表面的若干个第一接垫；以及

形成一第二导线，用以电性连接所述第一接垫以及所述承载器的所述第二接垫。

10.如权利要求7所述的具有电磁屏蔽功能的半导体封装结构的制造方法，其特征在于：形成所述第一图案化钝化层的步骤包括：

形成一第二图案化钝化层在所述顶表面上，并暴露出所述顶表面的若干个第一接垫；

形成一重布线路层在所述第二图案化钝化层上，其中所述重布线路层电性连接于所述第一接垫；以及

形成所述第一图案化钝化层在所述第二图案化钝化层上并暴露出所述重布线路层的一部份。

11.如权利要求10所述的具有电磁屏蔽功能的半导体封装结构的制造方法，其特征在于：形成所述图案化金属层的步骤包括形成所述图案化金属层在所述第一图案化钝化层上并暴露出所述重布线路层的所述暴露部分；在形成所述图案化金属层的步骤之后，进一步包括形成一第二导线，用以电性连接所述重布线路层的所述暴露部分以及所述承载器的所述第一接垫。