[发明专利]相变化存储器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种相变化存储器装置，包括：

电流控制元件，设置于基板上；

直立式电极结构，与该电流控制元件电性相连；以及

第一直立式存储层，与该直立式电极结构上下直立形式堆迭并于第一接触点接触，其中该直立式电极结构与该第一直立式存储层交会的第一接触点作为第一相变化存储单元。

2.如权利要求1所述的相变化存储器装置，其中该直立式电极结构为金属墙结构。

3.如权利要求2所述的相变化存储器装置，其中该第一直立式存储层为单面金属墙。

4.如权利要求1所述的相变化存储器装置，其中该直立式电极结构与该第一直立式存储层以厚度面直立交叉，其交叉夹角包括垂直或非垂直。

5.如权利要求2所述的相变化存储器装置，其中该直立式电极结构由高熔点的导电材料构成，包括过渡金属元素、稀土金属元素、或上述金属元素的合金、氮化物、碳化物或氮碳化物。

6.如权利要求3所述的相变化存储器装置，其中该第一直立式存储层由相变化存储材料构成，通过控制生成相的状态达到存储的作用。

7.如权利要求6所述的相变化存储器装置，其中该相变化存储材料包括III、IV、V、VI族金属元素或上述金属元素的合金。

8.如权利要求1所述的相变化存储器装置，其中该电流控制元件是晶体管元件。

9.如权利要求2所述的相变化存储器装置，还包括第二直立式存储层，与该直立式电极结构上下直立形式堆迭并于第二接触点接触，其中该直立式电极结构与该第二直立式存储层交会的该第二接触点作为第二相变化存储单元。

10.如权利要求9所述的相变化存储器装置，其中该第二直立式存储层为单面金属墙。

11.如权利要求9所述的相变化存储器装置，其中该直立式电极结构与该第二直立式存储层以厚度面直立交叉，其交叉夹角包括垂直或非垂直。

12.如权利要求10所述的相变化存储器装置，其中该第二直立式存储层由相变化存储材料构成，通过控制生成相的状态达到存储的功能。

13.如权利要求12所述的相变化存储器装置，其中该相变化存储材料包括III、IV、V、VI族金属元素或上述金属元素的合金。

14.如权利要求9所述的相变化存储器装置，其中该第一直立式存储层与第二直立式存储层分别连接至两条不同的导线，且其中各导线对应于该相变化存储器装置的位线。

15.如权利要求1所述的相变化存储器装置，还包括：

多个该第一相变化存储单元所构成的阵列，对应多个该电流控制元件所构成的阵列于该基板上；

多条字线，沿第一方向串接各电流控制元件；以及

多条位线，沿第二方向串接各第一直立式存储层，

其中该第一方向与该第二方向实质上正交。

16.如权利要求9所述的相变化存储器装置，还包括：

多个该第一相变化存储单元与该第二相变化存储单元所构成的阵列，对应多个该电流控制元件所构成的阵列于该基板上；

多条字线，沿第一方向串接各电流控制元件；

多条第一位线，沿第二方向串接各第一直立式存储层；以及

多条第二位线，沿该第二方向串接各第二直立式存储层，其中该第一方向与该第二方向实质上正交。

17.如权利要求16所述的相变化存储器装置，其中该多个电流控制元件所构成的阵列包括第一组次晶体管阵列与第二组次晶体管阵列。

18.如权利要求17所述的相变化存储器装置，其中该第一组次晶体管阵列与该第二组次晶体管阵列成(1/2，1/2)平移对称。

19.一种相变化存储器装置的制造方法，包括：

提供基板，具有电流控制元件于其上；

形成直立式电极结构于该基板上，且与该电流控制元件电性相连；以及

形成直立式存储层于该直立式电极结构上，且以直立形式堆迭作为相变化存储单元。

20.如权利要求19所述的相变化存储器装置的制造方法，其中该电流控制元件是晶体管元件。