[发明专利]集成电路封装体及其制作方法

权利要求书

1.一种集成电路封装体，包含：

透明基板，具有第一表面及第二表面；

半导体层，形成于该透明基板的第二表面上；

感光元件，形成于该半导体层上；

金属插塞，形成于该透明基板的第二表面上，且电连接于该感光元件；以及

焊料球体，形成于该透明基板的第二表面上，且电连接该金属插塞。

2.如权利要求1所述的集成电路封装体，其中该半导体层包含硅、砷化镓或硅锗材料。

3.如权利要求1所述的集成电路封装体，其中该半导体层的厚度介于0.1～10微米之间。

4.如权利要求1所述的集成电路封装体，还包含层间介电层，形成于该半导体层上，且围绕该金属插塞。

5.如权利要求1所述的集成电路封装体，还包含：

金属焊盘，形成于该透明基板的第二表面上，且电连接该金属插塞；以及

阻焊膜，覆盖于该金属焊盘的上方。

6.如权利要求5所述的集成电路封装体，其中该焊料球体形成于该金属焊盘上。

7.如权利要求1所述的集成电路封装体，其中集成电路封装体的入光面与设置的金属插塞呈现相反的方向。

8.一种集成电路封装体的制作方法，包括：

提供透明基板，其具有第一表面及第二表面；

形成半导体层于该透明玻璃基板的第二表面上；

形成感光元件于该半导体层上；

形成金属插塞于该透明基板的第二表面上，且电连接该感光元件；以及

形成焊料球体于该透明基板的第二表面上，且电连接该金属插塞。

9.如权利要求8所述的集成电路封装体的制作方法，其中该半导体层由低温的化学气相沉积法形成。

10.如权利要求9所述的集成电路封装体的制作方法，其中形成该半导体层的温度范围介于500℃～800℃之间。