[发明专利]集成电路封装体及其制作方法

说明书

技术领域

本发明有关于集成电路封装体，特别是有关于一种薄型化的集成电路封装体及其制作方法。

背景技术

在集成电路装置的制作过程中，集成电路需要经过封装步骤处理后，使用于各种不同的应用领域，例如，电脑、手机或数码相机等。因此，集成电路封装体的结构及其制作方法也直接影响集成电路装置的性能及其体积大小。

图1显示一种现有集成电路封装体的剖面图。在图1中，硅基底2上方形成有感光元件4及接合焊盘6，且接合焊盘6与感光元件4电连接。接着，将透明盖板10接合至上述硅基底2上后，再贴附承载板8于上述硅基底2的下方。之后，导电层12从承载板8、硅基底2的侧壁延伸至接合焊盘6，且电连接焊锡球14。由于上述硅基底2及承载板8皆具有既定厚度，使得集成电路封装体具有较大的厚度。并且，由于金属插塞(图中未显示)形成于入光面，增加了制造工艺上的难度。再者，在现有的集成电路封装体中，由于导电层12设置于集成电路封装体的外围，使得导电层12很容易地在制造工艺中遭受损伤，而导致集成电路封装体失效。

因此，亟需一种新的集成电路封装体及其制作方法，以解决上述问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的为提供一种集成电路封装体。上述集成电路封装体包含：透明基板，具有第一表面及第二表面；半导体层，形成于该透明基板的第二表面上；感光元件，形成于该半导体层上；金属插塞，形成于该透明基板的第二表面上，且电连接于该感光元件；以及焊料球体，形成于该透明基板的第二表面上，且电连接该金属插塞。

如上所述的集成电路封装体，其中该半导体层包含硅、砷化镓或硅锗材料。

如上所述的集成电路封装体，其中该半导体层的厚度介于0.1～10微米之间。

如上所述的集成电路封装体，还包含层间介电层，形成于该半导体层上，且围绕该金属插塞。

如上所述的集成电路封装体，还包含：金属焊盘，形成于该透明基板的第二表面上，且电连接该金属插塞；以及阻焊膜，覆盖于该金属焊盘的上方。

如上所述的集成电路封装体，其中该焊料球体形成于该金属焊盘上。

如上所述的集成电路封装体，其中集成电路封装体的入光面与设置的金属插塞呈现相反的方向。

本发明的另一目的为提供一种集成电路封装体的制作方法。上述集成电路封装体的制作方法包括：提供透明基板，其具有第一表面及第二表面；形成半导体层于该透明玻璃基板的第二表面上；形成感光元件于该半导体层上；形成金属插塞于该透明基板的第二表面上，且电连接该感光元件；以及形成焊料球体于该透明基板的第二表面上，且电连接该金属插塞。

如上所述的集成电路封装体的制作方法，其中该半导体层由低温的化学气相沉积法形成。

如上所述的集成电路封装体的制作方法，其中形成该半导体层的温度范围介于500℃～800℃之间。

本发明的再一目的为提供一种集成电路封装体的操作方法，其包括：具有第一表面及第二表面的透明基板；半导体层，形成于该透明基板的第二表面上；以及感光元件，形成于该半导体层上；以及金属插塞，形成于该透明基板的第二表面上，且电连接该感光元件；其中该感光元件感应穿透该透明基板的第一表面、该半导体层的光线，且通过该金属插塞传递信号至焊料球体。

在上述集成电路封装体中，由于可直接将感光元件设置于透明基板上的半导体层上，而不需要额外工艺，例如粘合及刻痕等步骤，因此，可缩短制作流程，进而降低制作成本。另外，由于传递信息的金属插塞制作于集成电路封装体内，因此，可避免因切割步骤所导致的损坏问题。

附图说明

图1显示现有集成电路封装体的剖面图；

图2A-图2E显示本发明实施例的制作集成电路封装体的剖面图；以及

图3显示本发明实施例的制作集成电路封装体的流程图。

其中，附图标记说明如下：

相关技术元件符号

2～硅基底；        4～感光元件；     6～接合焊盘；

8～承载板；        10～透明盖板；    12～导电层；    14～焊锡球。

本发明实施例元件符号

102～透明基板；    1021～第一表面；  1022～第二表面；

104～半导体层；    106～感光元件；   108～层间介电层；

110～金属插塞；    112～层间介电层； 114～金属插塞；

116～金属焊盘；    118～阻焊膜；     120～焊料球体；

130～集成电路封装体。

具体实施方式