[发明专利]缺陷检查系统及缺陷检查方法

权利要求书

1、一种缺陷检查系统，在半导体制造工艺中检查半导体的缺陷，其特征在于，具备：

电路设计数据存储部，该电路设计数据存储部存储电路设计数据；

布局设计数据存储部，该布局设计数据存储部存储图案布局的设计数据；

时序解析部，该时序解析部从所述电路设计数据存储部中读出电路设计数据，抽出信号传输动作的精度要求比其它的部位高的电路上的关键路径；

关键路径抽出部，该关键路径抽出部对从所述电路设计数据存储部中读出的电路设计数据、与从所述布局设计数据存储部读出的布局设计数据加以对照，抽出包含用所述时序解析部抽出的关键路径的图形数据；

关键路径存储部，该关键路径存储部存储包含用所述关键路径抽出部抽出的关键路径的图形数据；

检查处置方案编制部，该检查处置方案编制部根据所述关键路径存储部存储的图形数据的坐标信息，决定检查部位；以及

SEM式缺陷评价装置，该SEM式缺陷评价装置按照所述检查处置方案编制部编制的检查处置方案，取得晶片上的检查部位的图象。

2、如权利要求1所述的缺陷检查系统，其特征在于：还具备OPC危险部位存储部，该OPC危险部位存储部存储对根据OPC掩模图案进行光强度模拟而获得的图案预测形状与所述布局设计数据加以比较后所抽出的OPC危险部位；

所述检查处置方案编制部，根据从所述关键路径存储部读出的关键路径的信息和从所述OPC危险部位存储部读出的OPC危险部位的信息，将既是包含关键路径的图形数据又属于OPC危险部位的部分，决定为检查部位。

3、如权利要求2所述的缺陷检查系统，其特征在于：还具备致命缺陷存储部，该致命缺陷存储部存储对SEM式缺陷检查装置取得的缺陷图象与从所述布局设计数据存储部读出的布局设计数据加以比较而抽出的致命缺陷的信息，

所述检查处置方案编制部，将从所述致命缺陷存储部读出的致命缺陷附加到检查部位。

4、如权利要求3所述的缺陷检查系统，其特征在于：所述检查处置方案编制部，将附加给检查部位的致命缺陷，筛选成相当于从所述OPC危险部位存储部中读出的OPC危险部位。

5、如权利要求1所述的缺陷检查系统，其特征在于：还具备致命缺陷存储部，该致命缺陷存储部存储对SEM式缺陷检查装置取得的缺陷图象与从所述布局设计数据存储部读出的布局设计数据加以比较而抽出的致命缺陷的信息；

所述检查处置方案编制部，根据从所述关键路径存储部读出的关键路径的信息和从所述致命缺陷存储部读出的致命缺陷的信息，将既是包含关键路径的图形数据又属于致命缺陷的部分，决定为检查部位。

6、如权利要求5所述的缺陷检查系统，其特征在于：还具备OPC危险部位存储部，该OPC危险部位存储部存储对根据OPC掩模图案进行光强度模拟所获得的图案预测形状与所述布局设计数据加以比较而抽出的OPC危险部位；

所述检查处置方案编制部，根据从所述OPC危险部位存储部读出的OPC危险部位的信息和从所述致命缺陷存储部读出的致命缺陷的信息，将既是OPC危险部位又属于致命缺陷的部分，作为检查部位附加。

7、如权利要求1所述的缺陷检查系统，其特征在于，还具备：

致命缺陷存储部，该致命缺陷存储部存储对SEM式缺陷检查装置取得的缺陷图象与从所述布局设计数据存储部读出的布局设计数据加以比较而抽出的致命缺陷的信息；和

OPC危险部位存储部，该OPC危险部位存储部存储对根据OPC掩模图案进行光强度模拟所获得的图案预测形状与所述布局设计数据加以比较而抽出的OPC危险部位；

所述检查处置方案编制部，根据从所述OPC危险部位存储部读出的OPC危险部位的信息和从所述致命缺陷存储部读出的致命缺陷的信息，将既是OPC危险部位又属于致命缺陷的部分，作为其它的检查部位抽出，并从基于所述关键路径存储部存储的图形数据的坐标信息的检查部位和所述其它的检查部位中，选择所述SEM式缺陷评价装置的检查部位。