[发明专利]半导体装置及电子设备

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

字线；

第一位线及第二位线；

电连接到所述字线及所述第一位线的第一存储器单元；

电连接到所述字线及所述第二位线的第二存储器单元；

第一开关元件，该第一开关元件具有电连接到所述第一位线的第 一端子；

第二开关元件，该第二开关元件具有电连接到所述第二位线的第 一端子；

第一预充电电路，该第一预充电电路配置为对所述第一位线输出 预充电电位，其中，该第一预充电电路电连接到所述第一开关元件的 第二端子；

第二预充电电路，该第二预充电电路配置为对所述第二位线输出 预充电电位，其中，该第二预充电电路电连接到所述第二开关元件的 第二端子；以及

开关电路，该开关电路配置成选择性地使所述第一开关元件或所 述第二开关元件工作。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一预充电电路包括第一晶体管，

所述第二预充电电路包括第二晶体管，

所述第一晶体管的源极及漏极中的一个电连接到所述第一开关 元件的第二端子，

并且所述第二晶体管的源极及漏极中的一个电连接到所述第二 开关元件的第二端子。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中所述第一晶体管和所述第二晶体管都设置在衬底上，

并且其中所述衬底是玻璃衬底、石英衬底、以及塑料衬底中的任 一种。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中所述第一晶体管和所述第二晶体管形成在SOI衬底上。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一存储器单元包括第一晶体管，

所述第二存储器单元包括第二晶体管，

所述第一晶体管的栅极电连接到所述字线，并且所述第一晶体管 的源极及漏极中的一个电连接到所述第一位线，

并且所述第二晶体管的栅极电连接到所述字线，并且所述第二晶 体管的源极及漏极中的一个电连接到所述第二位线。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一位线电连接到第一锁存电路，该第一锁存电路配置 为存储用于读取在所述第一存储器单元中存储的数据的电位；并且

所述第二位线电连接到第二锁存电路，该第二锁存电路配置为存 储用于读取在所述第二存储器单元中存储的数据的电位。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中为了选择性地使所述第一开关元件或所述第二开关元件工 作，

所述开关电路配置为：对所述第一开关元件施加H电平信号和L 电平信号中的一个信号，并且对所述第二开关元件施加所述H电平信 号和所述L电平信号中的另一个信号。

8.一种包括根据权利要求1所述的半导体装置的电子设备。