[发明专利]超小型电力变换装置及其制造方法

权利要求书

1.一种超小型电力变换装置，其特征在于，包括：

具有线圈和外部电极的线圈基板、固定在该线圈基板的表面侧上的电源IC芯片、以及覆盖所述线圈基板的表面侧和所述电源IC芯片的表面侧的树脂，其中，

所述线圈基板具有磁性绝缘基板、在该磁性绝缘基板的表面背面的中央部分形成的线圈导体、和在所述磁性绝缘基板的表面背面的周边部分形成的外部电极，通过用第一连接导体连接在所述磁性绝缘基板的表面背面上形成的所述线圈导体构成线圈，通过用第二连接导体连接在所述磁性绝缘基板的表面背面上形成的所述外部电极，在所述磁性绝缘基板的表面侧利用该磁性绝缘基板包围该第二连接导体，在该磁性绝缘基板的背面侧露出所述第二连接导体的侧面。

2.根据权利要求1所述的超小型电力变换装置，其特征在于：

所述磁性绝缘基板是铁氧体基板。

3.如权利要求1或2所述的超小型电力变换装置，其特征在于：

利用绝缘性粘合材料将所述线圈基板的表面侧和所述电源IC芯片的背面侧固定起来，通过接合线将在所述电源IC芯片的表面上形成的平头电极和在所述线圈基板的表面侧形成的外部电极电连接起来。

4.如权利要求1或2所述的超小型电力变换装置，其特征在于：

经过柱状突起将在所述线圈基板的表面侧形成的外部电极和在所述电源IC芯片的背面侧形成的平头电极固定起来。

5.一种超小型电力变换装置的制造方法，其特征在于：

是包括磁性绝缘基板、固定在该磁性绝缘基板的表面侧的电源IC芯片、以及覆盖所述磁性绝缘基板的表面侧和所述电源IC芯片的表面侧的树脂的超小型电力变换装置的制造方法，其包括：

从所述磁性绝缘基板的表面侧向内部形成多个第一孔，在该第一孔的周围，以夹着成为位置线的直线而成为相互线对称的位置上所形成的两个第二孔作为1组，沿所述直线形成多组所述第二孔的步骤；

在所述磁性绝缘基板的背面侧，从投影所述第一孔的位置向内部形成与所述第一孔连接的第三孔，在该第三孔周围，在包含投影所述1组两个的第二孔的位置，形成与所述1组两个的第二孔连接的细长的第四孔的步骤；

在所述磁性绝缘基板的表面背面上形成连结不同的所述第一孔之间和不同的所述第二孔的线圈导体，在所述第一孔和第三孔的侧壁中形成连接在所述表面背面中形成的线圈导体的第一连接导体，在所述磁性绝缘基板的表面侧，在从成为所述位置线的地方离开并且与该位置线成为线对称的位置上，沿该位置线形成多组包含所述第二孔、由所述磁性绝缘基板所包围、两个1组的表面侧的外部电极，在所述背面侧，形成包含投影所述1组两个的第二孔的位置的至少一部分的背面侧的外部电极，在所述第二孔和第四孔的侧壁中形成与在所述表面背面中分别形成的各个外部电极连接的第二连接导体的步骤；

在所述磁性绝缘基板的表面侧连接所述电源IC芯片的步骤；

利用所述树脂覆盖所述磁性绝缘基板的表面侧和所述电源IC芯片的表面侧的步骤；和

沿着由构成所述组的表面侧的两个外部电极所夹之处的所述位置线，切断所述磁性绝缘基板和所述树脂的步骤。

6.如权利要求5所述的超小型电力变换装置的制造方法，其特征在于：

通过作为籽晶层形成钛膜和在该钛膜上形成铜膜，或者只形成铜膜，在该籽晶层上形成比所述铜膜厚的铜膜，制作所述外部电极。