[发明专利]被处理体的保持装置无效
| 申请号： | 200710119104.4 | 申请日： | 2007-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101345203A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 彭宇霖 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;C23C16/458;C23C14/50 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇;姚巍 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 保持 装置 | ||
1、一种被处理体的保持装置，包括绝缘层、铝基座，其特征在于，所述绝缘层包括多层陶瓷层，并通过陶瓷烧结工艺烧结制成，所述的绝缘层与铝基座之间通过粘结剂粘结。
2、根据权利要求1所述的被处理体的保持装置，其特征在于，所述的粘结剂为硅粘结剂。
3、根据权利要求1所述的被处理体的保持装置，其特征在于，所述的绝缘层自上而下包括第一陶瓷层、直流电极层、第二陶瓷层。
4、根据权利要求3所述的被处理体的保持装置，其特征在于，所述的绝缘层自第二陶瓷层以下还依次包括电加热器层、第三陶瓷层。
5、根据权利要求3或4所述的被处理体的保持装置，其特征在于，所述的直流电极层的直流电接入端穿过第二陶瓷层、电加热器层及第三陶瓷层与其电源相连接。
6、根据权利要求1之4任一项所述的被处理体的保持装置，其特征在于，所述的绝缘层与铝基座之间设有一层硅粘结剂层。
7、根据权利要求1至3任一项所述的被处理体的保持装置，其特征在于，所述的绝缘层与铝基座之间设有电加热器层。
8、根据权利要求7所述的被处理体的保持装置，其特征在于，所述的绝缘层与铝基座之间设有两层硅粘结剂层，所述电加热器层设在两层硅粘结剂层之间。
9、根据权利要求7所述的被处理体的保持装置，其特征在于，所述的电加热层包括多圈加热环。
10、根据权利要求3或4所述的被处理体的保持装置，其特征在于，所述的直流电极层为多环形结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
