[发明专利]一种半导体列阵器件的微沟道叠层封装方法

权利要求书

1.一种半导体列阵器件的微沟道叠层封装方法，其特征在于，该方法包括：

将大功率半导体列阵器件(12)封装在单片微沟道热沉(13)上，形成单片微沟道器件(18)；

将若干个形成的单片微沟道器件(18)叠层粘结在一起，形成叠层器件；

对形成的叠层器件进行烘烤，实现对半导体列阵器件的微沟道叠层封装。

2.根据权利要求1所述的半导体列阵器件的微沟道叠层封装方法，其特征在于，所述将大功率半导体列阵器件(12)封装在单片微沟道热沉(13)上，形成单片微沟道器件(18)的步骤包括：

将大功率半导体列阵器件(12)的正极朝下，出光面朝上焊接在微沟道热沉(13)上，再将负电极片(11)焊接在所述大功率半导体列阵器件(12)的出光面上；

将绝缘材料(15)与微沟道热沉(13)粘结在一起，将垫片(14)与绝缘材料(15)粘结，形成单片微沟道器件(18)。

3.根据权利要求2所述的半导体列阵器件的微沟道叠层封装方法，其特征在于，

所述焊接负电极片(11)与所述大功率半导体列阵器件(12)采用软焊料铟，焊接温度为200摄氏度；

所述粘结绝缘材料(15)与微沟道热沉(13)，以及垫片(14)与绝缘材料(15)采用硅胶，在粘结过程中，微沟道热沉(13)、绝缘材料(15)和垫片(14)的通水孔(17)和固定孔(16)相互对齐。

4.根据权利要求2或3所述的半导体列阵器件的微沟道叠层封装方法，其特征在于，

所述微沟道热沉(13)和负电极片(11)采用易于散热的金属材料紫铜或无氧铜，所述垫片(14)采用金属材料紫铜；

所述负电极片(11)的厚度为0.1mm，大功率半导体列阵器件(12)的厚度为0.1mm，微沟道热沉(13)的厚度为0.9mm，绝缘材料(15)的厚度微0.1mm，垫片(14)的厚度为1.2mm。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体列阵器件的微沟道叠层封装方法，其特征在于，所述负电极片(11)和垫片(14)采用线切割工艺制成，负电极片(11)的形状为片状或刷子状。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体列阵器件的微沟道叠层封装方法，其特征在于，所述大功率半导体列阵器件(12)为占空比大于等于20％的高占空比和连续的大功率半导体激光器列阵器件。

7.根据权利要求1所述的半导体列阵器件的微沟道叠层封装方法，其特征在于，所述将若干个形成的单片微沟道器件(18)叠层粘结在一起，形成叠层器件的步骤包括：

将若干个单片微沟道器件(18)相互之间用硅胶粘结起来，正负电极串联，夹在固定上压块(23)和下压块(21)中间，用螺钉(20)拧紧固定，通水孔(24)与单片微沟道器件(18)的通水孔(17)相配，固定螺钉(20)与单片微沟道器件(18)的固定孔(16)相配。

8.根据权利要求7所述的半导体列阵器件的微沟道叠层封装方法，其特征在于，所述单片微沟道器件(18)之间在电学上采用串联，制冷方式采用并联，上压块(23)和下压块(21)分别作为叠层器件的负、正极，工作时与驱动源的相应电极相连。

9.根据权利要求7或8所述的半导体列阵器件的微沟道叠层封装方法，其特征在于，所述下压块(21)的通水孔(24)和微沟道热沉(13)的通水孔(17)用于对叠层器件进行制冷，大功率半导体列阵器件(12)之间的水路为并联方式，制冷物质采用去离子水或纯净水。

10.根据权利要求1所述的半导体列阵器件的微沟道叠层封装方法，其特征在于，所述对形成的叠层器件进行烘烤的步骤包括：

将形成的叠层器件在高温80摄氏度下烘烤2小时，使硅胶固化，实现对半导体列阵器件的微沟道叠层封装。