[发明专利]半导体加工设备的供气系统及其气体流量校准的方法有效
| 申请号： | 200710120360.5 | 申请日： | 2007-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN101369514A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 苏晓峰 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;G05D7/06 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 加工 设备 供气 系统 及其 气体 流量 校准 方法 | ||
1.一种半导体加工设备的供气系统，包括气路盒，用于向反应腔室供 气，所述气路盒设有质量流量控制器MFC，所述气路盒上还设有气路盒清洗管 路，其特征在于，
所述的气路盒清洗管路上设有校准隔离阀；
所述的气路盒与校准隔离阀之间的气路盒清洗管路上设有真空规一；
其中，利用所述校准隔离阀将所述气路盒上的气路盒清洗管路隔离为一 段封闭的管道，用作进行气体流量校准的腔室，由所述真空规一对该腔室的 气体压力进行测定。
2.一种根据权利要求1所述的半导体加工设备的供气系统的气体流量校 准的方法，其特征在于，包括
关闭所述校准隔离阀，通过MFC向所述封闭的管道中通入一定流量的气 体；
根据理想气体状态方程计算进入气路盒清洗管路中的所述封闭的管道的 气体的实际流量，并将该流量与MFC的设定流量进行比较，并根据比较的结果 对所述供气系统的气体流量进行校准。
3.根据权利要求2所述的气体流量校准的方法，其特征在于，所述气路 盒清洗管路的所述封闭的管道中气体的压力由真空规一测定。
4.根据权利要求3所述的气体流量校准的方法，其特征在于，对所述气 体的实际流量与MFC的设定流量的差值设定一个门限值，当所述差值超过门限 值时，则对所述MFC进行校准。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
