[发明专利]半导体加工设备的供气系统及其气体流量校准的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体加工技术，尤其涉及一种半导体加工设备的供气系统及其气体流量校准的方法。 

背景技术

半导体加工设备在进行半导体加工过程中，通过供气系统向反应腔室供应工艺气体，在半导体加工过程中，气体的流量是一个重要的技术指标，供气管路上设有MFC(质量流量控制器)控制气体流量，为了保证气体流量的准确，需要定期检验MFC是否发生偏移。 

现有技术一，对MFC进行检验的方法是，采用专用的MFV(Mass FlowVerifier；气体流量检测设备)进行流量校准，其中MFV内部实现气体流量校验功能。 

上述现有技术一至少存在以下缺点：MFV需要单独采购，价值过高，增加了半导体加工设备的成本。 

现有技术二，对MFC进行检验的方法是，利用反应腔室的压升率计算气体流量。 

如图1所示，将气体通入密闭的反应腔室1，通过计算反映腔室1的压升率得到气体流量，反应腔室1体积V固定，假设其温度T不变，向反应腔室通入固定流量的气体时，通过测量某段时间内的压力的变化，根据理想气态方程： 

PV＝nRT  式中，P为气体压强；V为气体体积；n为气体物质的量；T 为气体的绝对温度；R为气体常量。求导得公式Q=n'=VRTP′]]>可以计算MFC的流量Q。 

首先将反应腔室1抽到真空状态，然后设定MFC12的流量Q₀，并向反应腔室1通入气体，由真空规二10测量反应腔室1内的压力，并根据通气的时间计算反应腔室1内的压升率P′，由公式Q=n'=VRTP′]]>计算实际的气体流量Q，当100％*|Q-Q₀|/Q超出一定范围时认为该路MFC需要进行校准。 

上述现有技术二至少存在以下缺点：进行气体校准的时间长，尤其当反应腔室体积较大时(如300mm刻蚀设备)，进行校准的时间更长。 

发明内容

本发明的目的是提供一种半导体加工设备的供气系统及其气体流量校准的方法。该系统及方法成本低、校准时间短。 

本发明的目的是通过以下技术方案实现的： 

本发明半导体加工设备的供气系统，包括气路盒，用于向反应腔室供气，所述气路盒设有质量流量控制器MFC，所述气路盒上还设有气路盒清洗管路，所述的气路盒清洗管路上设有校准隔离阀。 

本发明上述的半导体加工设备的供气系统的气体流量校准的方法，包括 

关闭所述校准隔离阀，通过MFC向所述气路盒清洗管路中通入一定流量的气体； 

根据理想气体状态方程计算进入气路盒清洗管路中的气体的实际流量，并将该流量与MFC的设定流量进行比较，并根据比较的结果对所述供气系统的气体流量进行校准。 

由上述本发明提供的技术方案可以看出，本发明所述的半导体加工设备的供气系统及其气体流量校准的方法。由于在气路盒清洗管路上设有校准隔离阀，可以将气路盒清洗管路隔离封闭，通过MFC向所述气路盒清洗管路中通入一定流量的气体，然后根据理想气体状态方程计算进入气路盒清洗管路 中的气体的实际流量，并将该流量与MFC的设定流量进行比较，并根据比较的结果对所述供气系统的气体流量进行校准。 

既不必采用专用的MFV进行流量校准，又能避免反应腔室体积过大造成的气体校准的时间过长，使该系统及方法成本低、校准时间短。 

附图说明

图1为现有技术中半导体加工设备的供气系统的结构示意图； 

图2为本发明中半导体加工设备的供气系统的结构示意图。