[发明专利]一种高比表面积单晶介孔氧化钙粒子的制备方法无效
| 申请号： | 200710121492.X | 申请日： | 2007-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101187055A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 戴洪兴;穆青;刘彩欣;王国志;何洪;訾学红 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C30B7/10 | 分类号： | C30B7/10;C30B29/16;C01F11/02;B01J20/04 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100022*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 表面积 单晶介孔 氧化钙 粒子 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高比表面积单晶介孔氧化钙粒子的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将模板剂溶于去离子水中后，加入氧化钙粉末，其中模板剂与氧化钙的摩尔比为1.25∶1～3∶1，室温下搅拌均匀形成乳白色混合物；模板剂为三嵌段共聚物EO20PO70EO20、十六烷基三甲基溴化铵和聚乙二醇之一；
(2)将上述混合物转移至自压釜并置于烘箱中，于160～240℃水热24～72小时，取出后让其自然冷却至室温；
(3)将水热处理后的混合物抽滤、用去离子水洗涤、干燥后得到白色粉末；
(4)将所得白色粉末放入马弗炉中，以1℃/min的升温速率从室温升至600℃并在该温度下灼烧3小时，得到高比表面积虫孔状介孔立方晶体结构的氧化钙单晶粒子。
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