[发明专利]液晶显示装置阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种液晶显示装置阵列基板的制造方法，其特征在于：

第一工程、基板表面依次沉积透明电极层和栅金属层，用第一掩模板蚀刻，形成由所述透明电极层和栅金属层构成的像素电极、栅线和从所述栅线分支出来的栅电极；

第二工程、经过第一工程的基板表面依次沉积栅绝缘层、非晶硅层、重掺杂非晶硅层，用第二掩模板蚀刻，所述栅绝缘层覆盖住所述栅线和栅电极，所述栅电极上方残留非晶硅层和重掺杂非晶硅层，在所述像素电极上部去掉栅金属层露出所述透明电极层；

第三工程、经过第二工程的基板表面沉积数据金属层，用第三掩模板蚀刻，即在数据线和源漏电极的上部形成相应的光刻胶图案，通过蚀刻工艺去掉未被光刻胶覆盖的数据金属层，形成源漏电极和数据线，所述源漏电极的间隔区域露出非晶硅层，沉积钝化层，通过剥离工艺去掉剩余光刻胶和位于光刻胶上的钝化层。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置阵列基板的制造方法，其特征在于：所述第二掩模板为由非透射区域、半透射区域和透射区域构成的双色调掩模板，所述非透射区域对应所述栅电极、半透射区域对应所述栅线、透射区域对应其余区域，通过第一次蚀刻去掉位于所述透射区域的重掺杂非晶硅层、非晶硅层栅绝缘层和栅金属层，通过第二次蚀刻去掉位于半透射区域的重掺杂非晶硅层、非晶硅层。

3.根据权利要求1或2所述的液晶显示装置阵列基板的制造方法，其特征在于：第三工程还包括以数据金属层形成电容电极，所述电容电极与所述数据线和源漏电极相互隔离，所述电容电极的一端与像素电极电连接、另一端重叠设置在栅线上。

4.根据权利要求1或2所述的液晶显示装置阵列基板的制造方法，其特征在于：所述第一工程还包括：形成与所述栅线结构相同的公共电极线，所述公共电极线与所述栅线平行；所述第二工程还包括：至少以所述栅绝缘层覆盖住所述公共电极线；所述第三工程还包括：第三工程还包括以数据金属层形成电容电极，所述电容电极与所述数据线和源漏电极相互隔离，所述电容电极一端与所述像素电极电连接、另一端重叠设置在所述公共电极线上。

5.根据权利要求2所述的液晶显示装置阵列基板的制造方法，其特征在于：第三工程还包括，第三工程还包括以数据金属层形成电容电极，所述电容电极与所述数据线和源漏电极相互隔离，所述电容电极一端与所述像素电极电连接、另一端重叠设置在所述公共电极线上。

6.根据权利要求2所述的液晶显示装置阵列基板的制造方法，其特征在于：所述第一工程还包括：形成与所述栅线结构相同的公共电极线，所述公共电极线与所述栅线平行；所述第二工程还包括：至少以所述栅绝缘层覆盖住所述公共电极线；所述第三工程还包括：第三工程还包括以数据金属层形成电容电极，所述电容电极与所述数据线和源漏电极相互隔离，所述电容电极一端与所述像素电极电连接、另一端重叠设置在所述公共电极线上。

7.根据权利要求1所述的液晶显示装置阵列基板的制造方法，其特征在于：所述栅金属层或数据金属层为AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr的单层结构，或者为AlNd、Al、Cu、Mo、MoW，Ti或Cr任意组合所构成的复合结构；所述栅绝缘层为SiNx、SiOx或SiOxNy的单层结构，或者为SiNx、SiOx或SiOxNy任意组合所构成的复合结构。

8.根据权利要求1或2所述的液晶显示装置阵列基板的制造方法，其特征在于：所述钝化层为SiNx、SiOx或SiOxNy的单层结构，或者为SiNx、SiOx或SiOxNy任意组合所构成的复合结构。