[发明专利]液晶显示装置阵列基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示装置的制造方法，尤其涉及一种液晶显示装置阵列基板的制造方法。 

背景技术

在液晶显示装置中，阵列基板的制造过程需要重复沉积工艺、掩模工艺、蚀刻工艺和剥离工艺等步骤。其中掩模工艺是必不可少的，因此把工程次数又叫做掩模工艺次数。制造工艺中所使用的光刻胶等消耗材料的价格昂贵，并且工程次数的增加会引起相应设备的增加，因此减少工程群次数是降低产品成本和提高投资效率的有效方法。 

液晶显示装置阵列基板的制造技术经历了7次掩模到4次掩模的发展过程。现在普遍使用的5掩模，即工程次数为5次。同时工程群次数的繁多会导致生产产品的时间过长，同时还会影响生产线的产量。 

发明内容

本发明目的是提供一种液晶显示装置阵列基板的制造方法，有效解决现有技术存在的制造过程繁杂，投资效率和生产能力低下的缺陷。 

为了实现上述目的，本发明提供一种液晶显示装置阵列基板的制造方法，包括： 

第一工程、基板表面依次沉积透明电极层和栅金属层，用第一掩模板蚀刻，形成由透明电极层和栅金属层构成的像素电极、栅线和从栅线分支出来的栅电极； 

第二工程、经过第一工程的基板表面依次沉积栅绝缘层、非晶硅层、重掺杂非晶硅层，用第二掩模板蚀刻，栅绝缘层覆盖住栅线和栅电极，栅电极上方残留非晶硅层和重掺杂非晶硅层，在像素电极上部去掉栅金属层露出透明电极层；

第三工程、经过第二工程的基板表面沉积数据金属层，用第三掩模板蚀刻，即在数据线和源漏电极的上部形成相应的光刻胶图案，通过蚀刻工艺去掉未被光刻胶覆盖的数据金属层，形成源漏电极和数据线，所述源漏电极的间隔区域露出非晶硅层，沉积钝化层，通过剥离工艺去掉剩余光刻胶和位于光刻胶上的钝化层。 

其中，第二掩模板为由非透射区域、半透射区域和透射区域构成的双色调掩模板，包括：非透射区域对应栅电极、半透射区域对应栅线、透射区域对应其余区域，通过第一次蚀刻去掉位于透射区域的重掺杂非晶硅层、非晶硅层栅绝缘层和栅金属层，通过第二次蚀刻去掉位于半透射区域的重掺杂非晶硅层、非晶硅层。 

其中，第三工程还包括以数据金属层形成电容电极，电容电极与数据线和源漏电极相互隔离，电容电极的一端与像素电极电连接、另一端重叠设置在栅线上。 

其中，第一工程还包括：形成与栅线结构相同的公共电极线，公共电极线与栅线平行；第二工程还包括：至少以栅绝缘层覆盖住公共电极线；第三工程还包括：第三工程还包括以数据金属层形成电容电极，电容电极与数据线和源漏电极相互隔离，电容电极一端与像素电极电连接、另一端重叠设置在公共电极线上。 

其中，第三工程还包括，第三工程还包括以数据金属层形成电容电极，电容电极与数据线和源漏电极相互隔离，电容电极一端与像素电极电连接、另一端重叠设置在公共电极线上。 

其中，第一工程还包括：形成与栅线结构相同的公共电极线，公共电极线与栅线平行；第二工程还包括：至少以栅绝缘层覆盖住公共电极线；第三 工程还包括：第三工程还包括以数据金属层形成电容电极，电容电极与数据线和源漏电极相互隔离，电容电极一端与像素电极电连接、另一端重叠设置在公共电极线上。 

其中，栅金属层或数据金属层为AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr的单层结构，或者为AlNd、Al、Cu、Mo、MoW，Ti或Cr任意组合所构成的复合结构；栅绝缘层为SiNx、SiOx或SiOxNy的单层结构，或者为SiNx、SiOx或SiOxNy任意组合所构成的复合结构。 

其中，钝化层为SiNx、SiOx或SiOxNy的单层结构，或者为SiNx、SiOx或SiOxNy任意组合所构成的复合结构。 

本发明提示了通过第一工程形成栅线、栅电极和像素电极；通过第二工程在栅线和栅电极上方形成多层结构；通过第三工程形成数据线和源漏电极的技术方案，根据此技术方案可以减少掩模工艺次数为3次，以有效地减少工艺步骤。本发明通过简化制造过程，减少了制造过程中使用的消耗材料，如光刻胶、掩模板等，以降低液晶显示装置的制造成本，并且相应地减少了制造设备、减少生产初期投资的费用，以提高投资效率。另外通过本实施例1提示的技术方案可以提高生产速度，同时还可以提高生产容量。 

附图说明

图1为第一工程中沉积工艺之后的基板截面示意图； 

图2a为第一工程中第一掩模工艺之后的基板平面示意图； 

图2b为图2a的AA截面示意图； 

图3为第一工程中蚀刻工艺之后的基板截面示意图；