[发明专利]补偿型灰阶掩膜版结构有效
申请号: | 200710121555.1 | 申请日: | 2007-09-10 |
公开(公告)号: | CN101387825A | 公开(公告)日: | 2009-03-18 |
发明(设计)人: | 吕敬;崔承镇 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/00;H01L21/027 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘 芳 |
地址: | 100176北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 补偿 型灰阶掩膜版 结构 | ||
1.一种补偿型灰阶掩膜版结构,包括掩膜版,所述掩膜版上设置有U形状的源极区域,矩形状端部位于所述源极区域内的漏极区域,以及位于所述源极区域与漏极区域之间的U形状的阻碍条,所述源极区域与阻碍条之间、所述阻碍条与漏极区域之间形成缝隙,其特征在于:所述源极区域端部的内侧设置有能补偿沟道侵蚀缺陷的第一补偿区域。
2.根据权利要求1所述的补偿型灰阶掩膜版结构,其特征在于:所述第一补偿区域为矩形。
3.根据权利要求1所述的补偿型灰阶掩膜版结构,其特征在于:所述第一补偿区域的高度为1.0μm~2.0μm。
4.一种补偿型灰阶掩膜版结构,包括掩膜版,所述掩膜版上设置有U形状的源极区域,矩形状端部位于所述源极区域内的漏极区域,以及位于所述源极区域与漏极区域之间的U形状的阻碍条,所述源极区域与阻碍条之间、所述阻碍条与漏极区域之间形成缝隙,其特征在于:所述阻碍条的端部设置有能补偿漏极颈部侵蚀缺陷和沟道侵蚀缺陷的第二补偿区域;
所述第二补偿区域包括与所述阻碍条端部连接的竖直条,与所述竖直条垂直的横直条,以及设置在所述竖直条和横直条之间的过渡条;所述过渡条与所述竖直条的间距为所述缝隙的宽度,所述过渡条与所述横直条的间距为所述缝隙的宽度。
5.根据权利要求4所述的补偿型灰阶掩膜版结构,其特征在于:所述源极区域端部的内侧设置有能补偿沟道侵蚀缺陷的第一补偿区域。
6.根据权利要求5所述的补偿型灰阶掩膜版结构,其特征在于:所述第一补偿区域为矩形。
7.根据权利要求5所述的补偿型灰阶掩膜版结构,其特征在于:所述第一补偿区域的高度为1.0μm~2.0μm。
8.根据权利要求4~7任一所述的补偿型灰阶掩膜版结构,其特征在于:所述横直条的宽度为1.0μm~4.0μm。
9.根据权利要求4~7任一所述的补偿型灰阶掩膜版结构,其特征在于:所述横直条为矩形,所述矩形的高度为所述阻碍条的宽度。
10.根据权利要求4~7任一所述的补偿型灰阶掩膜版结构,其特征在于:所述横直条为多个依次排列的矩形,相邻矩形之间的间距为所述缝隙的宽度,每个矩形的高度为所述阻碍条的宽度。
11.根据权利要求5~7任一所述的补偿型灰阶掩膜版结构,其特征在于:所述竖直条为矩形,所述矩形的宽度为所述阻碍条的宽度,所述矩形的高度为所述第一补偿区域的高度。
12.根据权利要求4~7任一所述的补偿型灰阶掩膜版结构,其特征在于:所述竖直条为多个依次排列的矩形,相邻矩形之间的间距为所述缝隙的宽度,每个矩形的宽度为所述阻碍条的宽度。
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