[发明专利]补偿型灰阶掩膜版结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种灰阶掩膜版结构，尤其是一种缝隙/阻碍条的补偿型灰阶掩膜版结构。 

背景技术

目前，在薄膜晶体管液晶显示器阵列(TFT LCD Array)的制造工艺过程中，为了缩短工艺周期，节约生产时间，四次掩膜(4Mask)被广泛应用。目前量产中四次掩膜实现的方式为将有源层(Active)和源漏极(S/D)作为一次掩膜，在多层薄膜(Multi Layer)和源漏极层(S/D Layer)沉积之后，用缝隙/阻碍条(Slit/Bar)结构的掩膜实现灰阶掩膜(Gray Tone Mask)，以将原来这两层的两次掩膜工序减少为一次掩膜工序，其缝隙/阻碍条结构的掩膜版形状如图8所示。 

由图8可以看出，现有的带缝隙/阻碍条结构的掩膜版包括源极区域1和漏极区域2，以及源极区域1和漏极区域2之间设置的阻碍条4，这种结构使得源极区域1和阻碍条4、漏极区域2和阻碍条4之间形成缝隙5。实际生产表明，现有技术这种缝隙/阻碍条结构的掩膜版最大的缺点，是在进行灰阶掩膜工艺的时候往往会使灰阶区域的光刻胶(Photoresiter，简称PR)厚度不均匀，有些灰阶区域光刻胶的厚度较薄，这样以来，这个区域在经过刻蚀工艺之后，就会出现如图9所示的沟道侵蚀7(Channel Attack)问题和如图10所示的漏极颈部侵蚀8(Line Curve)等问题。沟道侵蚀7即源极区域1端部和漏极区域2之间凹进去的缺陷；漏极颈部侵蚀8指漏极区域2的颈部凹进去，颈部变得较窄的缺陷。这两种情况均会导致TFT性能改变甚至不良，这样显然影响了生产质量。 

发明内容

本发明的目的是提供一种补偿型灰阶掩膜版结构，有效解决现有技术产生沟道侵蚀和漏极颈部侵蚀导致TFT性能变差等问题。 

为了实现上述目的，本发明第一方案提供了一种补偿型灰阶掩膜版结构，包括掩膜版，所述掩膜版上设置有U形状的源极区域，矩形状端部位于所述源极区域内的漏极区域，以及位于所述源极区域与漏极区域之间的U形状的阻碍条，所述源极区域与阻碍条之间、所述阻碍条与漏极区域之间形成缝隙，所述源极区域端部的内侧设置有能补偿沟道侵蚀缺陷的第一补偿区域。 

所述第一补偿区域为矩形。 

所述第一补偿区域的高度为1.0μm～2.0μm。 

为了实现上述目的，本发明第二方案提供了一种补偿型灰阶掩膜版结构，包括掩膜版，所述掩膜版上设置有U形状的源极区域，矩形状端部位于所述源极区域内的漏极区域，以及位于所述源极区域与漏极区域之间的U形状的阻碍条，所述源极区域与阻碍条之间、所述阻碍条与漏极区域之间形成缝隙，所述阻碍条的端部设置有能补偿漏极颈部侵蚀缺陷和沟道侵蚀缺陷的第二补偿区域； 

所述第二补偿区域包括与所述阻碍条端部连接的竖直条，与所述竖直条垂直的横直条，以及设置在所述竖直条和横直条之间的过渡条；所述过渡条与所述竖直条的间距为所述缝隙的宽度，所述过渡条与所述横直条的间距为所述缝隙的宽度。 

所述源极区域端部的内侧设置有能补偿沟道侵蚀缺陷的第一补偿区域。 

所述第一补偿区域为矩形。 

所述第一补偿区域的高度为1.0μm～2.0μm。 

所述横直条的宽度为1.0μm～4.0μm。 

所述横直条为矩形，所述矩形的高度为所述阻碍条的宽度。 

所述横直条为多个依次排列的矩形，相邻矩形之间的间距为所述缝隙的宽度，每个矩形的高度为所述阻碍条的宽度。 

所述竖直条为矩形，所述矩形的宽度为所述阻碍条的宽度，所述矩形的高度为所述第一补偿区域的高度。 

所述竖直条为多个依次排列的矩形，相邻矩形之间的间距为所述缝隙的宽度，每个矩形的宽度为所述阻碍条的宽度。 

针对现有技术掩膜版结构在刻蚀工艺时，出现沟道侵蚀和漏极颈部侵蚀问题导致TFT性能不良的技术缺陷，本发明提出了两种补偿型灰阶掩膜版结构，通过在源极区域上和/或阻碍条上设置相应的补偿区域，有效解决了现有技术上述缺陷。具体地，通过在源极区域端部设置第一补偿区域，以有效降低沟道侵蚀缺陷；通过在阻碍条端部设置第二补偿区域，以有效降低漏极颈部侵蚀缺陷和沟道侵蚀缺陷，进一步地，通过在源极区域端部设置第一补偿区域、在阻碍条端部设置第二补偿区域，使降低漏极颈部侵蚀缺陷和沟道侵蚀缺陷更加有效。本发明结构简单，易于实现，不需增加成本，能有效改进现有TFT的性能、防止性能不良的发生。 

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。 

附图说明