[发明专利]FFS型TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法有效
申请号: | 200710122167.5 | 申请日: | 2007-09-21 |
公开(公告)号: | CN101393363A | 公开(公告)日: | 2009-03-25 |
发明(设计)人: | 金原奭;柳在一;金秉勳;郝昭慧 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/136 | 分类号: | G02F1/136;G02F1/133;H01L21/00;H01L27/12 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘 芳 |
地址: | 100176北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | ffs tft lcd 阵列 板结 及其 制造 方法 | ||
1.一种FFS型TFT-LCD阵列基板结构,其特征在于,包括:
玻璃基板;
栅电极,形成在玻璃基板上;
第一绝缘层,形成在栅电极上并覆盖整个玻璃基板;
有源层,形成在第一绝缘层上,并位于栅电极之上;
源漏电极层,形成在有源层上;
树脂层,形成在源漏电极层上,起钝化层作用并覆盖整个玻璃基板,其上形成过孔,所述树脂层的厚度为2μm~4μm;
像素电极,形成在树脂层上,通过所述过孔与所述源漏电极层的漏电极连接;
第二绝缘层,形成在像素电极上,所述第二绝缘层的厚度为
公共电极,以间隔状设置在第二绝缘层上。
2.根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板结构,其特征在于,所述树脂层的厚度为3μm。
3.根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板结构,其特征在于,所述第二绝缘层的厚度为
4.一种FFS型TFT-LCD阵列基板结构的制造方法,其特征在于,包括:
步骤1、在玻璃基板上沉积金属薄膜,通过光刻工艺和蚀刻工艺形成栅电极;
步骤2、在完成步骤1的玻璃基板上连续淀积第一绝缘层、非晶硅薄膜和掺杂非晶硅薄膜,通过光刻工艺和蚀刻工艺,在所述栅电极上形成岛状有源层;
步骤3、在完成步骤2的玻璃基板上沉积金属薄膜,通过光刻工艺和蚀刻工艺形成源漏电极层,同时刻蚀掉暴露的掺杂非晶硅薄膜;
步骤4、在完成步骤3的玻璃基板上沉积一层起钝化层作用的厚度为2μm~4μm的树脂层,并在所述树脂层上形成过孔;
步骤5、在完成步骤4的玻璃基板上形成像素电极,像素电极通过所述过孔与源漏电极层中的漏电极连接;
步骤6、在完成步骤5的玻璃基板上沉积厚度为的第二绝缘层;
步骤7、在完成步骤6的玻璃基板上形成以间隔形式排列的公共电极。
5.根据权利要求4所述的FFS型TFT-LCD阵列基板结构的制造方法,其特征在于,所述步骤4具体为:在完成步骤3的玻璃基板上沉积一层起钝化层作用的厚度为3μm的树脂层,并在所述树脂层上形成过孔。
6.根据权利要求4所述的FFS型TFT-LCD阵列基板结构的制造方法,其特征在于,所述步骤6具体为:在完成步骤5的玻璃基板上沉积厚度为的第二绝缘层。
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