[发明专利]FFS型TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法

权利要求书

1.一种FFS型TFT-LCD阵列基板结构，其特征在于，包括：

玻璃基板；

栅电极，形成在玻璃基板上；

第一绝缘层，形成在栅电极上并覆盖整个玻璃基板；

有源层，形成在第一绝缘层上，并位于栅电极之上；

源漏电极层，形成在有源层上；

树脂层，形成在源漏电极层上，起钝化层作用并覆盖整个玻璃基板，其上形成过孔，所述树脂层的厚度为2μm～4μm；

像素电极，形成在树脂层上，通过所述过孔与所述源漏电极层的漏电极连接；

第二绝缘层，形成在像素电极上，所述第二绝缘层的厚度为

公共电极，以间隔状设置在第二绝缘层上。

2.根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板结构，其特征在于，所述树脂层的厚度为3μm。

3.根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板结构，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度为

4.一种FFS型TFT-LCD阵列基板结构的制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在玻璃基板上沉积金属薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺形成栅电极；

步骤2、在完成步骤1的玻璃基板上连续淀积第一绝缘层、非晶硅薄膜和掺杂非晶硅薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺，在所述栅电极上形成岛状有源层；

步骤3、在完成步骤2的玻璃基板上沉积金属薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺形成源漏电极层，同时刻蚀掉暴露的掺杂非晶硅薄膜；

步骤4、在完成步骤3的玻璃基板上沉积一层起钝化层作用的厚度为2μm～4μm的树脂层，并在所述树脂层上形成过孔；

步骤5、在完成步骤4的玻璃基板上形成像素电极，像素电极通过所述过孔与源漏电极层中的漏电极连接；

步骤6、在完成步骤5的玻璃基板上沉积厚度为的第二绝缘层；

步骤7、在完成步骤6的玻璃基板上形成以间隔形式排列的公共电极。

5.根据权利要求4所述的FFS型TFT-LCD阵列基板结构的制造方法，其特征在于，所述步骤4具体为：在完成步骤3的玻璃基板上沉积一层起钝化层作用的厚度为3μm的树脂层，并在所述树脂层上形成过孔。

6.根据权利要求4所述的FFS型TFT-LCD阵列基板结构的制造方法，其特征在于，所述步骤6具体为：在完成步骤5的玻璃基板上沉积厚度为的第二绝缘层。