[发明专利]FFS型TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器，尤其是一种FFS型薄膜晶体管液晶显示器阵列基板结构及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。边缘场开关技术(Fringe Field Switching，简称FFS)通过同一平面内像素间电极产生边缘电场，使电极间以及电极正上方的取向液晶分子都能在(平行于基板)平面方向产生旋转转换，在增大视角的同时提高液晶层的透光效率。第三代FFS技术(Advanced FFS，简称AFFS)通过在正型液晶上获得负型液晶90％左右的光效率，同时对楔形电极进行修改，使之具备自动抑制光泄漏的能力，进一步提高了透光率。

图8为现有技术FFS型TFT-LCD阵列基板结构示意图，包括玻璃基板1，相互隔离的栅电极2和公共电极9形成在玻璃基板1上，栅绝缘层3′形成在栅电极2和公共电极9上并覆盖整个玻璃基板，有源层4形成在栅绝缘层上并位于栅电极上方，源漏电极层5形成在有源层上，钝化层6′形成在源漏电极层5上并覆盖整个玻璃基板，其上形成过孔61，以矩阵形式排列的像素电极7形成在钝化层6′上，并通过过孔61与源漏电极层5的漏电极连接。上述结构中，为了降低公共电极和像素电极之间的距离，以降低驱动电压值，钝化层的厚度一般为1μm。但现有技术该结构会在玻璃基板下端部分出现边缘卷曲(edge rolling)现象和树脂脱落(peel off)现象，因此使得制造过程复杂化。如果加厚钝化层，则会使驱动电压上升。

发明内容

本发明的目的是提供一种FFS型TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法，有效解决现有技术由于边缘卷曲和树脂脱落导致的制造过程复杂化等技术缺陷。

本发明的第一方面提出了一种FFS型TFT-LCD阵列基板结构，包括：

玻璃基板；

栅电极，形成在玻璃基板上；

第一绝缘层，形成在栅电极上并覆盖整个玻璃基板；

有源层，形成在第一绝缘层上，并位于栅电极之上；

源漏电极层，形成在有源层上；

树脂层，形成在源漏电极层上，起钝化层作用并覆盖整个玻璃基板，其上形成过孔，所述树脂层的厚度为2μm～4μm；

像素电极，形成在树脂层上，通过所述过孔与所述源漏电极层的漏电极连接；

第二绝缘层，形成在像素电极上，所述第二绝缘层的厚度为～

公共电极，以间隔状设置在第二绝缘层上。

优选地，所述树脂层的厚度为3μm。

优选地，所述第二绝缘层的厚度为

本发明的第二方面提出了一种FFS型TFT-LCD阵列基板结构的制造方法，包括：

步骤1、在玻璃基板上沉积金属薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺形成栅电极；

步骤2、在完成步骤1的玻璃基板上连续淀积第一绝缘层、非晶硅薄膜和掺杂非晶硅薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺，在所述栅电极上形成岛状有源层；

步骤3、在完成步骤2的玻璃基板上沉积金属薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺形成源漏电极层，同时刻蚀掉暴露的掺杂非晶硅薄膜；

步骤4、在完成步骤3的玻璃基板上沉积一层起钝化层作用的厚度为2μm～4μm的树脂层，并在所述树脂层上形成过孔；

步骤5、在完成步骤4的玻璃基板上形成像素电极，像素电极通过所述过孔与源漏电极层中的漏电极连接；

步骤6、在完成步骤5的玻璃基板上沉积厚度为～的第二绝缘层；

步骤7、在完成步骤6的玻璃基板上形成以间隔形式排列的公共电极。

优选地，所述步骤4具体为：在完成步骤3的玻璃基板上沉积一层起钝化层作用的厚度为3μm的树脂层，并在所述树脂层上形成过孔。

优选地，所述步骤6具体为：在完成步骤5的玻璃基板上沉积厚度为的第二绝缘层。

本发明提出了一种FFS型TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法，在不改变驱动电压前提下，有效解决了现有技术出现的边缘卷曲和树脂脱落现象。本发明通过将起钝化层作用的树脂层的厚度增加到3μm左右，避免了现有技术钝化层厚度1μm时出现的边缘卷曲和树脂脱落现象，简化了生产制造过程；同时，通过在树脂层以上形成像素电极和公共电极，像素电极和公共电极之间设有厚度约为的第二绝缘层隔离，因此可以使驱动电压值不变，彻底避免了由于树脂层变厚可能导致公共电极和像素电极之间驱动电压上升的缺陷。

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。